【导读】根据市调机构集邦科技旗下半导体研究处表示，DRAM市场因整体属寡占市场型态，供需动能较NAND Flash明显健康许多，在歷经超过两季库存修正后，为减缓预期后续涨价所造成的成本上升，2021年第一季预计买方将开始提高库存水位加以因应，使价格有所支撑，整体DRAM的平均销售单价将止跌回稳，甚至有微幅上涨的可能。
集邦预估DRAM价格走势变化一览
从需求面来看，2021年第一季笔记型电脑的整机生产量预估为约5,270万台，除了受传统淡季效应与农历新年工作天数减少影响，加上2020年第四季基期偏高，因此预估季减约9％。
然而，大部分的OEM品牌厂商受惠于今年笔电出货畅旺，标准型DRAM库存水位仅4～5周，因此预估短期内厂商增加库存的意向，将会持续拉升需求动能。
从供给面来看，DRAM三大原厂三星、SK海力士、美光等整体供给位元成长在近两季度并未有大幅提升，加上受惠于行动式DRAM的拉货动能畅旺，第三季末起各厂就计画性地将产能持续转向该领域，导致标准型与伺服器DRAM产能受到排挤。因此，在2021年第一季需求有撑，供给未明显成长的情况下，标准型DRAM均价不易下跌。
在伺服器DRAM部份，集邦预期价格落底、产能趋紧等因素导致市场对于提前备货的共识显着提高。展望2021年，虽然每年首季度均为品牌厂出货的淡季周期，但在价格反转前夕与美光跳电事件的预期性心理影响下，将会刺激买方提前补单。
且现阶段由于市场近期由部分产品线率先领涨后，同时伴随行动式DRAM与标准型DRAM需求畅旺，伺服器DRAM的价格下行区间有机会提前终结，明年首季将正式涨价。
集邦预测明年第一季行动式DRAM合约价格与今年第四季大致持平。以需求大宗的品牌厂而言，在先前议定的特定交易及大量需求的支撑下，价格变动幅度不大。
反观其他规模较小的品牌厂，出于排挤效应，加上需求容量较小，原厂供给意愿较低等因素，明年第一季合约价格不排除微幅上扬的可能，幅度约落在3％以内。
集邦指出，绘图型GDDR受惠于新显卡、新游戏机、矿机持续扮演需求的三大支柱，带动绘图型GDDR成为眾DRAM产品中率先涨价者。
集邦预估主流产品GDDR6价格将于2021年第一季上涨约5～10％。至于消费性或利基型DRAM，SK海力士已正式停产2Gb DDR3，三星亦逐渐将Line 13的旧DRAM制程转移至生产CMOS影像感测器，DDR3在韩系厂商陆续减少产出的情况下，价格有率先被拉抬的态势。
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