【导读】一家存储IC设计厂商在昨（7）日法说会上表示，因近期半导体晶圆代工、封测的成本上涨，且需求增加，已经调涨部分利基型DRAM与NOR Flash报价，和合约客户方面报价则将从明年第一季起调涨...
一家存储IC设计厂商在昨（7）日法说会上表示，因近期半导体晶圆代工、封测的成本上涨，且需求增加，已经调涨部分利基型DRAM与NOR Flash报价，和合约客户方面报价则将从明年第一季起调涨...
据台媒报道，昨（7）日，利基型DRAM和NOR Flash设计大厂——晶豪科（ESMT）在法说会上证实，已将部分利基型DRAM和NOR Flash价格调涨，预估明年可望进一步上调。
针对近期产业链涨价议题，晶豪科表示，受惠于宅经济效应，目前第4季的订单需求仍佳。自9月下旬起，晶圆代工产能供不应求，近来晶圆代工与封测成本增加，价格也会相对应调整，现有部分利基型DRAM 产品现货价格已调涨，合约价方面则将从明年第一季起调涨。并表示，若产能吃紧情况短期内无解，不排除在明年第一、二季调涨价格的可能。
除利基型DRAM外，晶豪科指出，近来受惠蓝牙耳机等应用带动，NOR Flash市况也很好，价格正向看待，明年也可望进一步涨价。
就当前市况，晶豪科表示：“只要逻辑IC在市场大热，specialty就会跟着热。因为除了逻辑IC外，所有电子产品都需要搭配存储使用，只是容量或者其他方面要求不同。加上供应商数量减少，先前一些存储厂陆续将产线转作图像传感器生产或代工，致使供给端产能减少；另外，specialty终端应用需求逐渐回温，下游经销商与终端客户也积极备库存”，是10、11 月超乎预期的主要原因。
在韩系SK海力士和三星逐渐减产并淡出后，台系厂商华邦（Winbond）、晶豪科（ESMT）、钰创（Etron）成为specialty DRAM 领域的主要玩家。公开资料显示，晶豪科技股份有限公司 (ESMT) 是IC设计公司，
据摩根士丹利证券在近期报告中提及，因供需吃紧，预计利基型DRAM（DDR3 1Gb、2Gb）单位售价11月起涨10％。该机构产业分析师颜志天则修改对此类价格预测为上扬，从原先预估的2021年第1、2季价格小幅衰退同步转为季增2～5％。另外，TrendForce也在月初最新报告称，主流specialty DRAM价格在11月有上涨的迹象，分析是需求增加叠加供应商减少所致，还指出此次情况区别于以往，预计最先上涨的是小容量、小客户的利基型存储。
“不过，虽然近期需求上扬，但未出现明显供给告急压力，目前利基性DRAM市况优于NOR。”据了解，晶豪科与力积电为长期供应伙伴，投片订单全数落在力积电。
针对中芯国际遭到美国禁制令恐影响对兆易创新的供货一事，晶豪科认为，当前兆易创新正寻求其他产能支援，会遇到成本垫高的问题，“对我们是机会”。
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