【导读】硅晶圆大厂环球晶看好第三代半导体材料碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 未来前景，今天与中国台湾交通大学签署备忘录，共同合作成立化合物半导体研究中心，透过产学合作模式，携手研发第三代半导体材料，以利快速建构台湾化合物半导体产业链。
看好第三代半导体材料市场发展潜力，许多大厂积极布局化合物半导体。环球晶在碳化硅 和氮化镓深耕多年，已开发多项专利，生产技术精湛，并具有完整生产线，因此，决定与交通大学在化合物半导体展开合作，串连各自专业领域与技术优势，加速前进。
环球晶将与交通大学合作成立化合物半导体研究中心，透过产学合作模式，携手研发第三代半导体材料，包含、但不限于 6 至 8 吋 SiC 和 GaN 技术开发，支持晶体生长、提供高性能组件应用所需，以快速建构台湾化合物半导体产业链，并盼能成为世界顶级的半导体 SiC 晶圆和 GaN 晶圆供货商之一。
交通大学代理校长陈信宏表示，SiC 和GaN 是非常具发展前景的半导体材料，在 5G、电动车、太阳能发电、功率发电应用上，是最重要的成功关键，中国台湾在此领域必须积极擘划快速布局，才能与世界接轨，并在全球市场占有一席之地。
交通大学结合多所学校相关研究教授群，以化合物半导体材料研究和人才培育计划为主轴，与环球晶共同努力加速开发 SiC 和 GaN，建立产学互馈循环机制，并培育国际级研发团队，以提升台湾地区半导体产业在全球的竞争力。
环球晶今年加大氮化镓投资力度
环球晶近来持续积极布局半导体新材料，GaN 与 SiC 都已小量生产，今年将加大 GaN 投资力度。
环球晶目前 GaN晶圆已在台湾厂区小量生产。由于有客户提出盼能扩增产能，目前双方仍在商谈关于合作细节、产能等规划，将依客户需求扩产。
而在 SiC方面，环球晶也积极布局，去年 8 月更与 GTAT 签订碳化硅晶球长约，确保取得长期稳定、且符合市场需求的碳化硅晶球供应，以加速碳化硅晶圆产品发展，目前 4 吋产品已小量生产，6 吋还在认证中。
环球晶原先预计，今年上半年将汇回的 3.5 亿美元 (超过新台币 100 亿元) 境外资金中，一部分将用于增加 SiC 晶圆与半绝缘 SiC 晶圆产能，不过，由于近来受到疫情影响，车用需求放缓，因此投资计划也暂缓中。
除 SiC 扩产受疫情影响而暂缓外，环球晶与 Ferrotec 在中国合作的 8 吋硅晶圆厂扩产计划，也已暂缓。不过，韩国二厂新产能仍照规划进行中，虽然因人员移动受疫情影响，使装机进度延迟 3 至 4 个月，但目前已可小量生产，第 4 季可望有较明显营收贡献。
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