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三星投资扩产不断,消息称平泽P3新厂9月开建

发布时间:2020-06-23 来源: 责任编辑:wenwei

【导读】受“疫情”影响全球经济受挫,2020年半导体产业暂时成长受阻,但是长远来看,半导体市场依然可观,消息称三星电子正在将韩国平泽工厂建设成为一个综合性的大型半导体生产基地,准备将在9月份启动P3工厂建设项目。
 
据韩媒报道,三星电子正准备在平泽市建设P3工厂,计划在9月开始建设,目前正在准备前期项目施工的相关事宜。据悉该工厂的生产制造规模要比P2工厂更大,根据一般Fab工厂建筑完工大约需要一年,预计P3工厂将在2021年Q3竣工,投入量产时间将从2021年底开始,至于新工厂建成后具体投产计划,还未确定,需根据市场需求变化而决定。
 
三星投资扩产不断,消息称平泽P3新厂9月开建
2021年前总投资30兆韩元,三星平泽建设项目接踵而至!
 
早在2017年,三星就制定了一项长远发展目标:2021年前在韩国平泽的总投资将达30兆韩元(约247亿美元),用于扩大生产制造能力。因此,近几年三星持续不断兴建项目,扩大平泽生产基地的投资。
 
最初,三星是在2015年投资百亿美金在平泽兴建存储器工厂(P1),这是一栋2层楼建筑,Wafer满载产能分别约10万/月和20万/月,现投产先进NAND Flash和DRAM,包括10nm级LPDDR5/DDR5和GDDR6 DRAM芯片,以及量产第五代和第六代V-NAND。
 
目前,三星P2工厂是以P1工厂规模于2018年投资建设,2019年完成建筑工程,是NAND Flash和DRAM混合产线。2020年上半年进行设备安装,用于批量投产第二代(1ynm)和第三代(1znm)10nm级DRAM,同时还建设一条极紫外光刻(EUV)生产线。
 
今年6月,三星电子再次宣布扩大平泽NAND Flash生产能力,投资8兆韩元(约合66亿美元)在P2工厂内新建NAND Flash产线,计划2021年下半年开始量产先进的V-NAND芯片,以满足不断增长的数据中心和智能手机存储需求。
 
另外,三星2019 年宣称到2030 年之时在非存储器的系统半导体领域将投资133 兆韩元(约1097亿美元),目标是成为全球系统半导体市场的龙头。
 
代工业务扮演重要角色,未来10年三星与台积电竞争将更加激烈
 
受“疫情”持续影响,2020下半年数据中心、PC等需求预期较之前有所降温,再加上国际贸易紧张关系对华为手机等业务的影响,让业内人士对存储产业Q3看法保守,但这也只会是短暂现象,从长远来看,5G、人工智能、汽车电子等技术发展,存储产业依然会保持强劲的增长趋势。
 
三星一直是存储器市场龙头企业,2020年Q1在NAND Flash市场占有率32.5%,在DRAM市场占有率44.7%。三星除了扩大在平泽工厂生产,也在扩大中国西安工厂的建设,继西安一期投产后,二期一阶段工厂产品正式在今年3月下线上市,主要生产第五代9X层3D V-NAND芯片,同时建设西安二期第二阶段项目,2021年下半年竣工,满足中国市场当地客户需求,以及满足全球不断增长的需求。
 
与此同时,三星也在加速其非存储器的系统半导体投资战略“ Vision 2030” 的成形。在晶圆代工领域,全球晶圆代工台积电市场市占率超过50%,三星虽位居第二,但市场份额不及台积电一半,也一直不甘心位居第二,未来10年将与台积电展开激烈竞争。
 
受美国“禁令”进一步提高管制的影响,华为供应链再次遭遇困境,台积电正为华为海思赶制订单,传已停止投片,可望在美国新出口禁令生效前交付,中芯国际也曾表示有可能不能为“某些客户”代工,这让三星与华为合作可能性大增,对于三星而言有利于扩大晶圆代工业务。
 
为了与台积电竞争,自台积电宣布在美国亚利桑那州建立晶圆代工厂的计划之后,三星便也在韩国华城增加一条新EUV专用生产线,计划于今年下半年批量生产5nm EUV工艺。同时,三星计划投资80亿美元在平泽新建晶圆代工生产线,专注于基于EUV的5nm及以下工艺技术,预计将于2021年下半年全面投入生产,未来半导体的代工业务将扮演三星重要角色。
 
 
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