【导读】晶圆代工龙头台积电在法人说明会上强调，今年资本支出150～160亿美元的计画不变。台积电董事长刘德音及总裁魏哲家在致股东报告书中提及，期待5G相关及高效能运算（HPC）应用的发展，将会在未来几年带动对于台积电先进技术的强劲需求。凭藉着最先进的技术与产能，以及最广泛的客户群，台积电正处于最佳的位置引领业界掌握市场的成长。
今年新冠肺炎疫情影响全球经济，半导体生产链可能会在下半年受到波及，但台积电强调，先进制程的投资是着眼于中长期的竞争优势，今年国际间贸易紧张局势造成总体经济的不确定性持续存在，台积电将保持灵活的应变能力，致力于业务的基本体质，进一步加速技术的差异化。
对台积电来说，今年庞大资本支出将用于扩充5奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程（N5）产能。N5技术为台积电推出的最新逻辑制程技术，此一领先全球的技术于去年已接获多个客户产品投片，包含行动通讯以及高效能运算产品，并预计于今年开始量产。相较于7奈米FinFET制程（N7）技术，N5技术速度增快约15％或功耗降低约30％。
台积电亦将推出5奈米FinFET强效版制程（N5P）技术，为N5技术的效能强化版技术，并採用相同的设计准则。相较于N7技术，N5P技术速度增快约20％或功耗降低约40％。N5P技术的设计套件预计于今年第二季进行下一阶段N5技术更新时推出。
相较于N5制程技术，3奈米制程（N3）技术大幅提升晶片密度及降低功耗并维持相同的晶片效能。台积电去年的研发着重于基础制程制定、良率提升、电晶体及导线效能改善以及可靠性评估，今年台积电将持续进行N3制程技术的全面开发。
台积电在关键微影技术上，去年研发组织成功完成N5制程光罩技术的转移，并在N3技术顺利导入更复杂且先进的EUV光罩技术，生产良率、周期时间及基板缺陷亦有实质进展，以符合大量生产的要求。
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