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台积电:今年会加快2nm研发速度!

发布时间:2020-04-22 责任编辑:lina

【导读】据台媒工商时报消息,台积电4月21日发布2019年年报,披露除了5nm进入量产、3nm持续研发外,今年会加快2nm研发速度。另外,台积电看好整合型扇出(InFO)等先进封装保持强劲成长,今年投入包括系统整合芯片(SoIC)等3D先进封装技术开发,以提供业界系统级解决方案。
 
据台媒工商时报消息,台积电4月21日发布2019年年报,披露除了5nm进入量产、3nm持续研发外,今年会加快2nm研发速度。另外,台积电看好整合型扇出(InFO)等先进封装保持强劲成长,今年投入包括系统整合芯片(SoIC)等3D先进封装技术开发,以提供业界系统级解决方案。
 
台积电去年领先半导体产业进行2nm(N2)制程技术的研发,在关键的微影技术上开始进行N2以下技术开发的先期准备。年报中指出,N5技术已经顺利移转,针对N3技术的开发,EUV微影技术展现优异的光学能力与符合预期的芯片良率。台积电今年将在N2及更先进制程上将着重于改善EUV技术的质量与成本。

台积电:今年会加快2nm研发速度!
图片来源:台积电官网
 
台积电董事长刘德音及总裁魏哲家在年报中也联名发布致股东报告书,提及台积电去年达成许多里程碑,尽管面临国际间贸易紧张局势所带来业务上的逆风,年度营收依旧连续10年创下纪录。 台积电去年提供272种不同的制程技术并为499个客户生产10,761种不同产品,在晶圆代工市场占有率提升至52%。
 
 
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