【导读】多数厂商目前对于DRAM与NAND Flash仍然保守。 相较起DRAM上游台厂认为第二季出货容量个位数季增的看法而言，今年第一季电话会议中，韩系龙头则释放出第二季出货容量双位数季增并且有机会有效消化隐含库存的讯息，倾向于产业赶底的状况。
另外，2019年需求面表现仍然维持服务器需求逐步上升、智能型手机新机发表有助容量提升的看法，不过，相较SK海力士认为第三季于服务器端显著成长说法，韩系龙头厂商看法则相对比较保守。 若就产业角度出发，产业平均认为，2019年DRAM下修至出货容量年增15%的看法，韩系龙头厂维持高双位数年增供应水位。
2019年NAND Flash的供给状态各厂商平均看法落在容量年增30%-35%。 现况而言，第一季报价季跌30%、第二季市场预估报价持续季跌15%-20%，已跌破SK海力士、美光科技、威腾电子，以及东芝半导体的平均成本线，仅韩系龙头厂仍然存在生产优势。
市场普遍认为，第三季科技业旺季、SSD渗透率提高等因素，NAND Flash存在消化库存的曙光。 不过，以现行主流TLC及64层3D TLC颗粒计划于2020年将生产重心提高至128层及QLC的趋势而言，NAND Flash在供需两端还是存在风险。 因此，现阶段仍须观察内存大厂攻占市占率的角力之间，是否有明显同步收手的机会。
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