这项标志着公司迄今为止最大的投资，将为Wolfspeed SiC（碳化硅）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将极大增强公司SiC（碳化硅）材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。

 

 

● 此次产能扩大，将带来SiC（碳化硅）晶圆制造产能的30倍增长和SiC（碳化硅）材料生产的30倍增长，以满足2024年之前的预期市场增长

 

● 5年的投资，充分利用现有的建筑设施North Fab，并整新200mm设备，建造采用最先进技术的满足汽车认证的生产工厂

 

● 投资：4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料超级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入

 

Cree首席执行官Gregg Lowe先生表示：“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC（碳化硅）的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是，现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC（碳化硅）的需求。今天，我们宣布了公司迄今在生产制造的最大投资，将大幅地提升供应，帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入，将为我们显著扩大产能。与2017财年第一季度（也就是我们开始扩大产能的第一阶段）相比较，能够带来SiC（碳化硅）晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC（碳化硅）材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。”

 

这项计划将为业界领先的Wolfspeed SiC（碳化硅）业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施，作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂，迈出满足预期市场需求的第一步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂，其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍，刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料超级工厂。

 

Cree首席执行官Gregg Lowe先生同时还表示：“这些SiC（碳化硅）制造超级工厂，将加速当今最快增长市场的创新。通过提供解决方案，帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间，同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）技术和制造有史以来最大的资本投资，也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具，我们相信我们可以实现提供最先进技术的200mm fab，并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”

 

扩大的园区将创造高科技就业机会，并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目，为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。

 

 

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