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IGBT芯片实现量产,扬杰科技2018净利润同比下降30%

发布时间:2019-04-26 来源: 责任编辑:wenwei

【导读】4月25日,在延期一日后,连续理财产品“爆雷”的扬杰科技发布2018年年度报告,公司实现营业收入18.52亿元,同比增长26.01%;归属于上市公司股东的净利润1.87亿元,同比下降29.70%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润1.98亿元,同比下降8.23%;经营活动现金净流入2.12亿元,同比下降19.01%。
 
IGBT芯片实现量产,扬杰科技2018净利润同比下降30%
 
值得注意的是,扬杰科技2018年内获得的政府补贴为1024.8万元,委托他人投资或管理资产的损益为-3309.97万元。
 
扬杰科技表示,报告期内,公司以市场需求为导向,重点扩产小信号产品自动生产线,完成18类性能卓越的新产品开发并实现量产,持续扩张公司主营产品版图,满足客户多元化需求;积极推进降本增效工作,成功研制出高密度框架,提高框架有效使用面积近50%,显著降低框架成本,资源利用率与生产效率得到双提高。微型小信号功率器件上取得的技术突破,进一步提高了公司在半导体功率器件领域的核心竞争力和市场份额。
 
在肖特基芯片方面,6寸肖特基芯片实现全系列量产,可广泛应用于消费类电子、家用电器等领域;高可靠性平面肖特基芯片实现研发量产,可满足汽车电子行业标准,为公司拓展汽车电子领域提供有力保障;高能效低正向压降肖特基芯片实现全系列开发,100V及以下芯片实现系列化量产,积极响应国家节能减排的号召,提升了公司在消费类电子、安防、新能源等下游应用领域的市场竞争力。
在TVS产品方面,公司整合4寸晶圆研发力量,持续优化防护类器件产品组合,全面提升低压平面TVS产品的VC性能,使其达到国内先进水平,进一步增强公司在安防、通信等领域的推广实力。
 
在MOSFET产品方面,公司自主设计研发的8英寸超高密度沟槽功率MOSFET产品实现量产,并形成大批量销售,其中主打N/P 20V~100V系列产品特征导通电阻达到国内同行先进水平,部分产品已批量进入国内中高端客户群; 40V~100V SGT MOS产品特征导通电阻和电容特性参数均达国内同行先进水平,其中60V SGT MOS已实现量产出货,同时对标国外同行最新一代技术,持续研发跟进,为公司未来拓展高端功率半导体市场积蓄力量。
 
扬杰科技新增6寸高压MOSFET产品线,成功研制IGBT芯片并实现量产,多款8寸中低压MOSFET产品成功开发,与现有客户产品形成配套,有利于增强公司与客户合作的深度与广度,预计未来将为公司贡献持续稳定的销售收入;公司新建汽车电子产品线,部分产品已取得国内外重点客户认证,为未来拓展汽车电子行业奠定了坚实的基础。
 
报告期内,扬杰科技产量稳步增长,其中晶圆产出同比增长59%,封装成品产出同比增长36%;同时,稳步推进产能拓展工作,在晶圆、小信号系列封装和贴片二极管系列封装继续加大投入。
 
同时,扬杰科技披露了2019年第一季度报告,公司实现营业收入4.07亿元,同比增长2.83%;归属于上市公司股东的净利润3506.11万元,同比下降45.00%。
 
 
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