【导读】GaN和SiC作为新兴的宽禁带半导体材料备受关注。据报道，SiC市场年增长率将达38%，其中光伏逆变器与PFC为主流市场，目前全球有三十多家公司已经成立了专门用来制造SiC设备的工厂，并进行相关的商业和推广活动。
电力行业新兴用于功率器件备受关注的宽禁带半导体材料—GaN和SiC。其中，带隙为一个电子从价带的顶部跳到半导体的导带的底部所需的能量。换种说法，它是释放一个电子进行移动所需要的能量，典型值通常为几eV。
半导体设备对减少电力电子功率损耗提升性能，降低尺寸及成本十分重要。与Si功率半导体相比，由SiC制成的功率半导体器件不论是器件本身还是系统都有着显著提升。由SiC制成的功率晶体管，可以阻断高电压并具有低串联电阻，从而降低传导损耗。高带隙允许功率晶体管在高温下实现更高电压和电流的转换。SiC功率晶体管强劲的电力，使其具有优异的短路保护能力。
图：Cree Z-FET 1200V SiC功率MOSFET
就目前的SiC器件来说，Cree Z-FET 1200V SiC功率MOSFET就是个很好的例子。它使工程师能够取代硅晶体管（IGBT），实现高压回路快速开关的能力，并具有极低的开关损耗。该产品还能减少磁性器件和滤波器件的尺寸并降低散热需求。
市场研究公司Yole Developpement（Lyon, France）在其报告“2013 SiC 市场：SiC晶片，设备和电源模块的技术与市场”中指出，尽管去年市场十分低迷，但光伏逆变器依然青睐SiC器件，它与PFC是SiC器件最大的消费者。Yole还表示，SiC市场年增长率将达38%，据报道，目前全球有三十多家公司已经成立了专门用来制造SiC设备的工厂，并进行相关的商业和推广活动。
相关阅读：
电源转换新时代的来临：IR开始商业装运GaN器件
http://www.cntronics.com/gptech-art/80020878
SiC和GaN，新兴功率器件如何选？
http://www.cntronics.com/cp-art/80021026
第四讲：基于GaN的高能效设计
http://www.cntronics.com/gptech-art/80020916
太阳能逆变器制胜之道——SiC和GaN技术
http://ep.cntronics.com/voice/338
