【导读】今年以来包括金氧半场效电晶体（MOSFET）及绝缘闸双极电晶体（IGBT）等功率半导体需求畅旺，在IDM厂扩大委外代工情况下，汉磊、嘉晶、升阳半等接单畅旺。
看好电动车及自驾车、5G高速通讯等新应用将成为明年功率半导体市场亮点，包括英飞凌（Infineon）、安森美（ON Semi）、德州仪器等IDM大厂，今年以来加强在第三代半导体材料碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）布局，市场已进入高速成长阶段。汉磊控股（3707）及转投资硅晶圆厂嘉晶（3016）已扩大GaN及SiC布局，升阳半（8028）在晶圆薄化技术上亦领先同业将直接受惠。
今年以来包括金氧半场效电晶体（MOSFET）及绝缘闸双极电晶体（IGBT）等功率半导体需求畅旺，在IDM厂扩大委外代工情况下，汉磊、嘉晶、升阳半等接单畅旺。汉磊公告前3季合併营收年增22.0％达48.21亿元，营业利益2.97亿元且与去年同期相较已由亏转盈，归属母公司税后净利1.07亿元，每股净利0.40元，优于去年同期的每股净损0.66元。
嘉晶受惠于硅晶圆出货放量且调涨价格，前3季合併营收年增32.2％达33.18亿元，营业利益3.99亿元，较去年同期大增逾1.6倍，归属母公司税后净利3.40亿元，较去年同期大幅成长逾1.9倍，每股净利缴出1.24元亮丽成绩单。
升阳半争取到IDM厂提高晶圆薄化委外代工订单，前3季合并营收年增11.8％达15.48亿元，营业利益年增3.5％达2.07亿元，归属母公司税后净利1.58亿元，与去年同期1.33亿元相较成长18.8％，每股净利1.30元优于预期。
由于MOSFET及IGBT技术已无法有效因应电动车及自驾车、5G高速通讯、人工智慧及高效能运算（AI／HPC）等新应用对于高压、高温、高频的操作模式，国际IDM大厂全力投入SiC及GaN市场。功率半导体大厂英飞凌昨日就宣布收购德国新创公司Siltectra，因该公司开发一种创新的冷切割技术 （Cold Split），可有效处理晶体材料，并可大幅减少材料损耗，用于分割SiC晶圆可产出双倍的晶片数量。
事实上，GaN及SiC功率半导体除了耐高电压、低导通电阻及低切换损失等特色外，也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势，十分适合未来电动车或5G应用。为了抢攻新技术市场商机，汉磊及嘉晶已投入GaN及SiC的硅晶圆及晶圆代工技术多年，明年可望小量出货，至于升阳半亦开始展开新一代功率半导体晶圆薄化技术研发，在GaN及SiC市场不会缺席。
