存储器原厂Q3业绩抢眼，然NAND价格大跌超60%，引原厂产能“紧急制动”

 

2018年以来，Flash原厂持续扩大64层3D TLC NAND供货，且以256Gb和512Gb供货为主，再加上美光和英特尔64层1Tb QLC NAND在市场应用，导致市场供过于求。即使在Q3出货旺季，NAND Flash价格也依然表现跌势。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，Q3 NAND Flash价格指数下滑22.5%，相较于Q2 24.6%的跌幅略有收窄。截止到10月底，2018年NAND Flash价格累积跌幅高达63%，其中高容量SSD跌幅高达55%，eMMC价格跌幅达50%，闪存卡价格跌幅超过50%。

 

近3年NAND Flash综合价格指数走势图

来源：中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com;数据截止至2018年10月31日

 

在NAND Flash价格跌幅持续扩大的环境下，存储器原厂Q3财报却表现抢眼。其主要是因为三星、苹果、华为等高端旗舰机容量向512GB升级，以及SSD向高容量转移需求带动下，Flash原厂NAND Flash bit出货量增加，从而抵消了Q3市场价格下滑的影响。据各家公布的财报数据显示，三星Q3净利润13.15兆韩元，同比增长17.5%。美光Q4净利润43.25亿美元，同比增长82.6%。SK海力士Q3净利润4.69兆韩元，同比增长54%。英特尔Q3净利润63.98亿美元，同比增长42%。

 

近2年，存储器原厂净利润持续走高，除了市场对NAND Flash容量需求增加外，DRAM和NAND Flash价格上涨也是主因。如今NAND Flash价格大跌，据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，每GB价格下探至0.08美金，已逐渐逼近部分厂商的成本价。此外，DRAM价格也有明显的松动，再加上进入传统的Q4需求淡季，三星、西部数据、美光、英特尔等Q4财报难抵下滑之势，均预告营收或利润会有所下滑。

 

为了提高产品竞争力，存储器原厂正在加快有成本优势的96层NAND和1ynm DRM技术量产。同时，为了平市场供需，原厂产能采取“紧急制动”，其中西部数据宣布Fab工厂减少产出量，并推迟96层技术的下一步扩产计划，三星扩产平泽厂DRAM产线计划也有所调整，原厂此举将有助于NAND Flash和DRAM价格的稳定。

 

2018年第三季度原厂财报数据分析，三星Q3净利润同比增17.5%

 

三星Q3营收65.46兆韩元，同比增长5.5％，环比增长12%；营业利润17.57兆韩元，同比增长20.9%，环比增长18.2%。

 

西部数据Q1净利润同比下滑25%

 

西部数据Q1营收50亿美元，同比下滑3%；营业利润6.86亿美元，同比下滑24%。其中HDD营收25亿美元，Flash营收25亿美元，各占大约50%。

 

注：西部数据2019财年Q1，即2018年7-9月数据

 

美光Q4净利润同比增长82.6%

 

美光Q4营收84.4亿美元，同比增长38%，环比增长8.2%；营业利润43.77亿美元，同比增长75%；环比增长10.7%。

 

注：美光2018财年Q4财报，即2018年6-8月数据

 

SK海力士Q3净利润同比增长54%

 

SK海力士Q3营收11.42兆韩元，同比增长41%，环比增长10%；营业利润6.47兆韩元，同比增长73%，环比增长16%。

 

国际原厂聚焦新技术

 

随着Flash原厂从2018下半年陆续进入64层QLC和96层TLC量产阶段，国际原厂新一轮技术较量正式拉开序幕，预计2019年将推进96层QLC技术发展，不仅单颗Die容量向1Tb升级，也将进入QLC元年，而NAND Flash市场供货进一步增加，将对市场影响巨大。

 

中国企业机遇与危机

 

随着武汉二期、南京、成都三大基地开工，中国存储产业发展又向前推进了一步。然而，中国企业也遇到了困难和险阻。比如：长江存储如何快速推进3D技术工艺；紫光存储如何整合资源强化竞争力；以及福建晋华如何化解 “美国禁令”危机等，很多问题都有待去解决。

 

 

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