【导读】根据Omdia等多家市场研究机构的最新数据，2026年全球DRAM市场的结构性短缺非但无法缓解，反而可能进一步加剧。尽管三星、SK海力士、美光三大原厂预计将总产能提升至1800万片晶圆，同比微增约5%，但相较于以AI服务器为首的爆发性需求，这一增幅无异于杯水车薪。
根据Omdia等多家市场研究机构的最新数据，2026年全球DRAM市场的结构性短缺非但无法缓解，反而可能进一步加剧。尽管三星、SK海力士、美光三大原厂预计将总产能提升至1800万片晶圆，同比微增约5%，但相较于以AI服务器为首的爆发性需求，这一增幅无异于杯水车薪。
其中，三星电子今年的DRAM晶圆产量预计为793万片，较上年（759万片）增长约5%，生产主要集中在平泽工厂，季度平均产量也将首次突破200万片。SK海力士的DRAM产量预计也将从去年的597万片增至今年的约648万片，增幅约为8%。由于SK海力士清州M15X工厂（已进行产能扩建投资）的产量将从今年下半年开始陆续投产，预计其增幅将略高于三星电子。美光预计年产量约为360万片，与去年持平。
尽管三星电子、SK海力士和美光这三大DRAM厂商今年的产能将高于去年，但仍与市场需求存在巨大缺口。据KB证券的数据显示，DRAM客户需求的满足率仅为60%左右，服务器DRAM的满足率更是低于50%。换言之，供应仅能满足需求的一半。
供应短缺难缓解，新厂投产时间晚
业内人士分析，在三星电子位于平泽园区的 P4 工厂投产之前，全球 DRAM 供应短缺的问题很难得到缓解。即便 P4 工厂加快建设，三星电子内部人士和外部人士都认为，其投产时间很可能要等到 2027 年以后。SK 海力士也只有在其龙仁半导体集群全面运营后，才能大幅提升产能。
市场研究公司TrendForce预计，今年第一季度DRAM合约价格将比上一季度上涨55%至60%。同期，受服务器需求激增的推动，NAND闪存合约价格预计也将上涨33%至38%。
与此同时，DRAM 供应商优先发展先进的工艺节点和新的生产设施，用于生产服务器和高带宽内存（HBM）产品，以满足人工智能（AI）服务器日益增长的需求，而PC和智能手机制造商等主要买家也面临困境，以至于他们只能获得所需内存的一半左右。
PC 需求放缓，DRAM 价格却看涨
由于笔记本电脑出货量下降和配置降低，PC 需求正在放缓。但随着 DRAM 制造商削减对 PC 制造商和模块厂商的供应，预计 PC DRAM 价格将在今年上半年呈现大幅上涨趋势。移动 DRAM 也面临持续短缺，预计未来几个季度合约价格将飙升，第一季度服务器 DRAM 价格预计比上一季度上涨超过 60%。
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