【导读】据韩国媒体报道，三星电子计划将今年的DRAM晶圆产量提升约5%，从去年的约760万片增至近800万片。随着其平泽工厂产能爬坡，三星有望实现单季200万片的历史性生产规模。然而，由于正在向更先进的10nm第六代（1c）工艺过渡，生产过程中可能出现的良率波动，或导致实际增量低于预期目标。
据韩国媒体报道，三星电子计划将今年的DRAM晶圆产量提升约5%，从去年的约760万片增至近800万片。随着其平泽工厂产能爬坡，三星有望实现单季200万片的历史性生产规模。然而，由于正在向更先进的10nm第六代（1c）工艺过渡，生产过程中可能出现的良率波动，或导致实际增量低于预期目标。
行业供给格局：三大原厂同步扩产，但新增产能依然受限
从全球市场看，主要存储厂商均在推进产能扩张，但整体供给增长有限。行业数据显示：
●SK海力士：预计今年DRAM产量同比增长约8%，达到648万片，主要得益于清州M15X工厂的扩建与下半年投产。
●美光科技：预计产量约360万片，与去年水平基本持平。
尽管三大原厂（三星、SK海力士、美光）均有扩产动作，但新增产能尚不足以充分缓解当前的市场短缺。
尽管三大原厂均在扩产，但新增供给仍不足以缓解全球内存短缺。业内普遍认为，在三星平泽P4 工厂正式投产前，DRAM 供应紧张局面难以明显改善，而 P4 即便加快建设，最快也要到 2027 年以后投产。SK 海力士的显著扩产同样有赖于龙仁半导体产业集群全面落地。
需求端压力依旧明显。KB 证券数据显示，目前 DRAM 客户需求满足率仅约 60%，服务器 DRAM 更低于 50%。在供需缺口持续存在的背景下，DRAM 与 HBM 价格上涨趋势仍有望延续。
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