【导读】封测大厂南茂董事长郑世杰近日表示，第四季度存储市场整体表现稳健，其中DRAM成为增长的主要驱动力。展望2026年，随着HBM、DDR4/DDR5、NAND与NOR Flash等全线产品的需求提升，存储行业有望迎来新一轮增长周期。
封测大厂南茂董事长郑世杰近日表示，第四季度存储市场整体表现稳健，其中DRAM成为增长的主要驱动力。展望2026年，随着HBM、DDR4/DDR5、NAND与NOR Flash等全线产品的需求提升，存储行业有望迎来新一轮增长周期。
DRAM增长显著，产品结构持续优化
据郑世杰透露，当前存储客户的库存回补需求保持稳定，整体市场动能明显优于显示驱动芯片（DDIC）产品。在各类存储产品中，DRAM的表现尤为突出，成长动能显著；相比之下，NAND Flash的增长势头略有放缓。这一趋势反映出数据中心、AI训练等高性能计算场景对内存带宽的迫切需求。
南茂正持续优化产品组合并严格管控运营成本，以应对市场变化。公司强调，只有在与客户签订长期保障合约的前提下，才会谨慎进行产能扩充投资，并相应重新议定产品价格。
AI应用成为关键增长引擎
尽管终端消费需求仍相对保守，但AI云端数据中心的快速发展正持续推动企业级NAND和DRAM需求增长。同时，边缘AI设备和低成本AI解决方案的兴起，为存储市场注入了新的活力。这些新兴应用正在重塑存储产业的需求结构，推动行业向更高性能、更高能效的方向发展。
郑世杰对2026年存储市场前景持乐观态度，预计HBM（高带宽内存）、DDR4、DDR5、NAND和NOR Flash等主要产品线都将表现良好。这种全面向好的预期建立在AI技术从云端向边缘端扩展的行业趋势之上。
谨慎扩产策略应对市场波动
面对市场的积极信号，南茂采取了审慎的产能扩张策略。公司表示，只有与客户建立长期稳定的合作关系，确保未来需求的可预测性，才会考虑增加产能投入。这种稳健的经营策略有助于行业避免过度投资导致的供需失衡，维护市场价格的稳定。
随着AI应用场景的不断拓展和存储技术的持续演进，DRAM市场有望在未来的数字经济中扮演更加重要的角色，为整个半导体产业链带来新的增长机遇。
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