【导读】2025年第三季度，全球存储芯片市场显现出强劲的复苏信号。三星电子初步业绩显示，其营业利润达到12.1万亿韩元（约合85亿美元），显著高于市场预期的10万亿韩元，创下三年来的单季利润新高。与此同时，SK海力士的营业利润也攀升至11.34万亿韩元。这两家韩国半导体巨头的合并市值首次突破1000万亿韩元，标志着存储半导体行业正式进入新一轮牛市周期。
引言：存储芯片市场进入新一轮上升周期
2025年第三季度，全球存储芯片市场显现出强劲的复苏信号。三星电子初步业绩显示，其营业利润达到12.1万亿韩元（约合85亿美元），显著高于市场预期的10万亿韩元，创下三年来的单季利润新高。与此同时，SK海力士的营业利润也攀升至11.34万亿韩元。这两家韩国半导体巨头的合并市值首次突破1000万亿韩元，标志着存储半导体行业正式进入新一轮牛市周期。
业绩爆发：利润超预期，股价持续走高
三星电子与SK海力士的业绩增长远超市场预期，并直接推动了股价的快速上涨。截至2025年10月，三星电子股价年内涨幅已达80.7%，SK海力士股价也呈现类似趋势。值得注意的是，机构对两家公司未来12个月的营业利润预测在一个月内分别大幅上调了45%和24%，反映出市场对其盈利能力的乐观预期。
这一增长的核心动力来源于存储芯片价格的全面上涨。数据显示，2025年第三季度DRAM芯片价格同比飙升171.8%，而三星和SK海力士近期更是将部分存储产品价格上调高达30%。
周期驱动：AI需求爆发与供应策略转变
本轮行业上升周期由供需两方面因素共同推动：
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AI硬件需求结构性增长：人工智能训练与推理应用对高带宽内存（HBM）的需求激增。HBM市场预计在2030年前保持33%的年复合增长率，届时其营收将超过DRAM市场总营收的50%。
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供应端策略转变：三星、SK海力士和美光等主要厂商采取了以长期供应合同为核心的保守投资策略，取代了过去的激进产能扩张。它们将传统DDR4产能转向利润更高的DDR5和HBM产品，导致通用存储芯片供应紧张。
产业变革：竞争焦点转移与盈利模式升级
存储芯片行业的竞争逻辑已发生根本性变化：
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盈利弹性增强：由于原材料在DRAM总成本中占比很小，价格上涨能快速传导至利润端。三星与SK海力士合计控制全球70%的DRAM市场，使其在涨价周期中享有极强的议价能力。
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投资策略转变：主要厂商严格控制资本开支，将资源集中投向HBM等高端产品。SK海力士2025年将资本支出上调30%，重点扩大HBM产能。
未来展望：利润新高与周期延续
多家投行对韩国存储双雄的前景极为乐观：
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瑞银预测，三星电子与SK海力士2026年营业利润合计将达174万亿韩元（三星94万亿，SK海力士80万亿），接近2024年所有韩国综合股价指数上市公司利润总和（196万亿韩元）。
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花旗证券的预测值为162万亿韩元左右。
分析师认为，由于供应端持续受限、AI需求长期向好，DRAM和NAND价格有望在较长时间内保持上涨趋势。摩根士丹利指出，强劲的AI需求将导致存储芯片供需失衡，可能在2026至2027年间引发"存储芯片超级景气周期"。
总结：新范式下的存储芯片超级周期
存储芯片行业正经历由AI驱动的结构性转变。三星电子与SK海力士通过聚焦高端产品、签订长协订单和控制产能扩张，创造了盈利能力更强、持续性更佳的新商业范式。在HBM技术壁垒与保守投资策略的共同作用下，这一轮由AI定义的"存储超级周期"可能比以往任何一次都更为持久和强劲。
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