【导读】全球AI内存竞赛正迎来新的转折点。三星电子在其第六代高带宽内存（HBM4）的两个核心组件——4纳米逻辑芯片和1c DRAM的生产良率上相继取得突破。
全球AI内存竞赛正迎来新的转折点。三星电子在其第六代高带宽内存（HBM4）的两个核心组件——4纳米逻辑芯片和1c DRAM的生产良率上相继取得突破。
这一双重技术突破，标志着三星在争夺英伟达等AI芯片巨头订单的竞争中获得了关键筹码，并有望重塑由SK海力士主导的HBM市场格局。
01 良率双突破：逻辑芯片超90%，1c DRAM近80%
在HBM4的逻辑芯片（负责控制内存访问的智能部分）方面，三星晶圆代工部门已实现超过90%的生产良率。这一数字相较于2025年4月时约40%的良率实现了巨大飞跃。
同时，作为HBM4基础存储单元的1c DRAM（第六代10纳米级DRAM）良率也已显著提升，近期已接近80%的量产目标。
此前在7月初，1c DRAM的良率据报介于50%至70%之间。良率的稳步提升，为HBM4的如期量产扫除了主要障碍。
基于核心组件良率的改善，三星HBM4样品目前的整体良率已达到约50%。公司正与英伟达进行密切的性能测试，结果预计在2025年11月出炉。
02 技术路线：押注更先进的1c DRAM工艺
在HBM4的技术路径选择上，三星采取了一种差异化的竞争策略，押注于更先进的1c DRAM工艺。
当前竞争对手SK海力士在HBM4上采用的是1b DRAM技术。三星则计划使用更先进的1c DRAM来构建其HBM4产品。
1c DRAM作为第六代10纳米级工艺，其电路线宽进一步微缩，约在11-12纳米，相比1b DRAM（电路线宽约12-13纳米）具有更高的存储密度和能效。
为提高1c DRAM的良率以满足量产要求，三星在2024年初甚至重新调整了1c DRAM的设计，通过优化外围电路线宽等方案，解决了电容漏电等技术难题。
03 产能保障：内部协作与产能倾斜
为确保HBM4量产时的供应链稳定，三星正通过内部协作和产能倾斜，为核心组件提供充足的产能保障。
三星晶圆代工部门将其4纳米制程节点约一半的产能，用于生产HBM4所需的逻辑芯片。这种内部的产能倾斜，确保了核心组件的供应稳定性。
位于平泽的第4座半导体工厂（P4）正在安装先进设备，将成为1c DRAM的主要生产基地。该工厂的整体建设已进入最后阶段。
此外，三星还计划通过部署更多High-NA EUV光刻机来建立专属内存生产线，以加速HBM4及其后续产品的量产进程。
04 市场格局：挑战SK海力士的霸主地位
HBM4技术的突破，为三星挑战SK海力士在AI内存市场的领导地位提供了可能。
SK海力士目前在全球DRAM市场处于领先地位，为英伟达Blackwell系列GPU供应HBM3 / HBM3E 芯片。其DRAM市场占有率也高于三星。
三星此次在HBM4核心组件良率上的突破，被视为其争夺AI内存市场份额、扭转当前局势的关键一步。
若能顺利实现HBM4的大规模量产，三星将有望凭借更先进的1c DRAM工艺和自研4纳米逻辑芯片的整合优势，在AI高带宽内存市场重新夺回竞争力。
05 未来展望：量产在即，市场竞争加剧
基于当前的技术进展和产能布局，三星HBM4的量产时间表已逐渐清晰。
若与英伟达的测试验证顺利通过，三星预计将在2025年11月获得HBM4的量产批准，并有望在2025年下半年开始供应样品。
行业预计，HBM4将在2026年下半年随着英伟达Rubin架构GPU和AMD Instinct MI400系列的发布而成为主流。
随着三星HBM4量产进程的推进，全球HBM市场的竞争格局或将迎来新一轮的洗牌。三星能否凭借其技术突破，从SK海力士手中夺回市场份额，将是未来一年AI内存市场的重要看点。
三星HBM4在逻辑芯片和1c DRAM上的良率突破，标志着其在这场决定AI算力上限的内存竞赛中，已突破关键技术瓶颈。这不仅展现了三星先进制程的整合能力，也为AI芯片的性能飞跃铺平了道路。
随着2025年底量产节点的临近，全球HBM市场正酝酿着新一轮的格局变动，三星能否凭借技术突围成功逆袭，将决定未来AI内存市场的权力分配。
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