【导读】2025年8月，SK海力士宣布全球首次实现321层QLC NAND闪存量产，这款2Tb容量的产品以行业最高集成度（超过现有产品两倍）突破了NAND闪存的层数极限，为AI数据中心的高容量存储需求提供了新解决方案。作为全球首款超过300层的QLC NAND，其不仅解决了大容量存储的性能瓶颈，更通过成本优化与性能跃升，有望成为AI时代数据中心的核心存储支撑。
一、321层QLC NAND：AI存储的容量里程碑
随着AI技术的爆发，数据中心的存储需求呈指数级增长。据Gartner预测，2026年全球AI数据中心存储容量将达到1200EB，是2023年的3倍。传统NAND闪存的层数（多在200-300层）已无法满足高容量需求，而SK海力士的321层QLC NAND则成为这一领域的里程碑——其集成度较现有产品提升1倍，2Tb容量为数据中心提供了更紧凑的存储解决方案。这款产品的量产，标志着NAND闪存进入“300层+”时代，为AI计算的大规模数据处理奠定了基础。
二、2Tb高容量与六平面架构：破解大容量性能难题
传统NAND闪存的容量提升往往伴随性能下降（如存储器管理复杂、数据处理速度变慢），但SK海力士的321层QLC NAND通过“容量翻倍+技术优化”解决了这一矛盾。其2Tb容量是现有产品的两倍，大幅提高了单颗芯片的存储密度，降低了单位容量成本。为缓解大容量带来的性能瓶颈，SK海力士将NAND内部的平面架构从四平面扩展为六平面，提升了并行处理能力——数据传输速度翻倍，写入性能最高提升56%（远超行业平均水平），读取性能提升18%，同时数据写入能效提高23%以上。这种“高容量+高性能”的组合，让大容量存储不再以牺牲速度为代价。
三、性能跃升：低功耗AI数据中心的存储选择
AI数据中心对存储的要求不仅是高容量，更需要低功耗与高速度。SK海力士的321层QLC NAND通过六平面架构与能效优化，完美匹配了这一需求。其写入性能的大幅提升，让AI模型的训练数据处理更高效；读取性能的优化，支持了AI推理的实时数据访问；而23%的能效提升，则降低了数据中心的运营成本（据测算，单颗芯片每年可节省约15%的电力消耗）。这些性能优势，让321层QLC NAND成为低功耗AI数据中心的理想存储解决方案。
四、从PC到AI数据中心：全场景应用布局
SK海力士对321层QLC NAND的应用规划覆盖了从消费级到企业级的全场景。首先，该产品将应用于PC端固态硬盘（SSD），为消费者提供更高容量的存储（如2Tb SSD可存储约500部1080P电影）；接下来，扩展到企业级SSD，满足企业数据中心的高性能需求（如数据库、云计算的大规模数据处理）；之后，进入智能手机的嵌入式存储（eMMC/UFS），为手机提供更大的内置存储（如16Tb eSSD可支持1000+款APP）；最后，利用独有的32DP技术，实现比现有产品高1倍的集成度，进入超高容量eSSD市场（如用于AI数据中心的PB级存储）。这种“梯度推进”的应用策略，让321层QLC NAND覆盖了从个人设备到企业级数据中心的全场景需求。
五、瞄准AI时代：成为全方位存储器供应商
SK海力士的321层QLC NAND量产，是其“面向AI的存储器供应商”战略的重要一步。随着AI技术的快速增长，数据中心的高性能存储需求激增，而321层QLC NAND的“高容量、高性能、低功耗”特性，正好匹配了这一需求。SK海力士NAND开发担当郑羽杓副社长表示，此次量产强化了公司的高容量存储产品组合，确保了成本竞争力。未来，SK海力士将继续聚焦AI存储领域，通过技术创新（如32DP技术）与产品优化（如更高层数、更大容量），成为“全方位面向AI的存储器供应商”，应对AI时代的存储挑战。
结语
SK海力士的321层QLC NAND量产，不仅突破了NAND闪存的层数极限（全球首次300层+），更通过“高容量+高性能+低功耗”的组合，解决了AI数据中心的存储瓶颈。其2Tb容量、六平面架构与全场景应用布局，让这款产品成为AI时代的核心存储解决方案。未来，随着AI技术的进一步发展，SK海力士有望凭借这款产品，成为“全方位面向AI的存储器供应商”，引领NAND闪存的“300层+”时代。
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