【导读】2025年，三星电子在半导体技术领域抛出一枚重磅信号：其系统封装实验室副总裁Kim Dae-Woo在近期产业研讨会上透露，当前主流的热压缩键合（TCB）技术已难以支撑20层（16层以上）HBM内存堆栈的生产需求，这一瓶颈或将推动下一代键合技术的加速落地。
2025年，三星电子在半导体技术领域抛出一枚重磅信号：其系统封装实验室副总裁Kim Dae-Woo在近期产业研讨会上透露，当前主流的热压缩键合（TCB）技术已难以支撑20层（16层以上）HBM内存堆栈的生产需求，这一瓶颈或将推动下一代键合技术的加速落地。
键合工艺：HBM制造的核心痛点
作为HBM（高带宽内存）制造的核心环节，键合工艺负责连接各层DRAM芯片，其技术演进直接影响堆叠层数、信号传输效率及散热性能。传统TCB技术依赖凸块结构实现层间连接，但凸块的存在限制了间距进一步压缩，同时导致热阻较高，成为制约HBM向更高层数发展的关键阻碍。
混合键合（HCB）技术：突破层数与热阻的利器
三星电子提供的对比数据显示，采用无凸块设计的混合键合（HCB）技术可将HBM堆叠层数提升最多1/3，同时热阻降低至多20%，为突破当前技术瓶颈提供可行路径。相较于TCB，HCB通过直接金属-金属接触实现更精密的层间连接，显著优化了电气性能与散热效率。
技术转型节点：HBM4E与HBM5的关键分界
据三星规划，16层堆叠将成为HBM键合技术从TCB向HCB转型的关键节点，这一节点大致对应HBM4E内存世代。而到HBM5时代，混合键合技术有望实现全面应用，推动HBM内存向更高带宽、更低功耗方向演进。
结语
三星此次技术表态，不仅揭示了HBM内存向20层以上堆叠发展的技术挑战，更明确了混合键合技术作为下一代解决方案的核心地位。随着HBM4E及HBM5的逐步落地，键合工艺的革新或将重新定义高端内存市场的竞争格局。
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