【导读】半导体行业工艺竞赛迎来关键转折点。根据KeyBanc Capital Markets最新研究报告，英特尔18A（1.8nm）工艺良品率已提升至55%，超越三星SF2（2nm）的40%水平，虽仍落后于台积电N2（2nm）的65%，但标志着英特尔在先进制程领域取得重要突破，为其2025年底大规模量产计划注入强心剂。
半导体行业工艺竞赛迎来关键转折点。根据KeyBanc Capital Markets最新研究报告，英特尔18A（1.8nm）工艺良品率已提升至55%，超越三星SF2（2nm）的40%水平，虽仍落后于台积电N2（2nm）的65%，但标志着英特尔在先进制程领域取得重要突破，为其2025年底大规模量产计划注入强心剂。
良率突破：从50%到55%的跃升路径
报告显示，英特尔18A工艺良率较上一季度提升5个百分点，这一进展得益于其RibbonFET全环绕栅极（GAA）架构和PowerVia背部供电技术的持续优化。相比之下，三星2nm工艺虽略有提升但仍徘徊在40%区间，而台积电N2工艺凭借成熟的GAA实现65%的行业领先良率。
Panther Lake量产倒计时：2025年Q4目标70%
英特尔正按计划推进18A工艺量产进程，其首款搭载该工艺的移动CPU——Panther Lake系列已进入流片验证阶段。KeyBanc预测，到2025年第四季度，18A工艺良率有望达到70%，虽然难以超越台积电，但足以支撑英特尔在高端笔记本市场推出具有竞争力的产品。
技术路线图：从18A到14A的战略布局
英特尔采取"内部验证+外部拓展"双阶段策略：先通过18A工艺在Panther Lake等自研产品上验证技术可靠性，再于2026年推出14A（1.4nm）工艺向外部客户开放代工服务。这一路径与台积电A14（1.4nm）形成直接竞争，预计2027年前后将掀起新一轮制程大战。
行业影响：重塑半导体代工格局
此次良率突破对英特尔意义重大。若18A工艺能按计划在2025年底实现大规模量产，将有效缓解其IDM 2.0战略下的产能压力，并为争夺AMD、高通等潜在客户奠定基础。不过，要真正挑战台积电的霸主地位，英特尔仍需在2026年后的14A节点实现良率与性能的双重突破。
结语
在先进制程竞赛中，英特尔正通过"小步快跑"策略逐步缩小与台积电的差距。18A工艺良率突破55%不仅是技术层面的进步，更标志着这家芯片巨头在工艺研发体系重构后初见成效。随着2025年量产节点临近，半导体行业或将迎来三足鼎立的新格局。
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