【导读】在生成式AI应用加速落地背景下，存储市场正经历结构性转变。2025年第三季度DRAM合约价格预计持续上涨，其中DDR4产品因原厂逐步退出量产，供需失衡加剧，合约价涨幅有望突破20%。与此同时，HBM（高带宽存储器）技术加速渗透，美光等头部厂商预估HBM3E下半年市占率将突破20%，成为驱动DRAM市场增长的核心动能。
在生成式AI应用加速落地背景下，存储市场正经历结构性转变。2025年第三季度DRAM合约价格预计持续上涨，其中DDR4产品因原厂逐步退出量产，供需失衡加剧，合约价涨幅有望突破20%。与此同时，HBM（高带宽存储器）技术加速渗透，美光等头部厂商预估HBM3E下半年市占率将突破20%，成为驱动DRAM市场增长的核心动能。
核心市场动态
HBM技术主导权争夺
●产品迭代加速：下一代HBM4工程样品已进入客户验证阶段，预计2026年实现规模化量产
市场份额争夺：美光表示，HBM3E凭借更高带宽与能效比，2025年下半年在AI服务器领域的渗透率将显著提升
DDR4供需格局剧变
●产能退出效应：随着三星、SK海力士等原厂缩减DDR4产能，市场缺口由模组厂承接，推动现货价格持续攀升
价格传导机制：2025年6-8月期间，DDR4现货价已连续超越合约价，引发下游客户短交期采购潮
模组厂角色升级
议价空间显著扩大
●缺货预期驱动：下半年DDR4供应紧张预期下，模组厂通过灵活调配库存，在合约谈判中掌握更强话语权
●技术整合优势：部分头部模组厂已具备HBM与DDR4产品组合供应能力，可为客户提供一站式解决方案
市场策略分化
●长协占比提升：为锁定供应，终端客户倾向签订长期合约，推动模组厂Q3订单量价齐升
●现货溢价现象：DDR4现货市场出现10%-15%溢价，部分紧缺料号交期延长至8周以上
行业趋势展望
技术迭代周期缩短
HBM4量产时间表较原计划提前，存储行业正从"产能竞争"转向"技术竞争"。机构预测，2026年HBM产品占DRAM总市场规模比例将突破45%，成为存储厂商利润核心来源。
模组厂价值重估
在原厂产能调整背景下，模组厂的角色从"渠道商"升级为"技术整合者"。通过提前布局HBM封装能力与DDR4库存管理，头部企业有望在2025-2026年实现毛利率提升3-5个百分点。
结语：存储市场进入新周期
2025年第三季度存储市场将呈现"HBM领涨、DDR4跟涨"的双轨格局。AI算力需求持续释放，叠加传统产品产能退出，推动存储行业进入量价齐升周期。对于模组厂而言，把握技术迭代节奏与供应链管理能力，将成为决定其市场地位的关键变量。
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