【导读】摩根大通最新存储市场研究报告揭示，在人工智能（AI）算力升级与半导体技术迭代的双重驱动下，高带宽存储器（HBM）市场供需紧张态势将延续至2027年。尽管2026-2027年供应过剩压力逐步缓解，但技术升级带来的结构性短缺仍将持续，行业有望迎来长达五年的上行周期。
摩根大通最新存储市场研究报告揭示，在人工智能（AI）算力升级与半导体技术迭代的双重驱动下，高带宽存储器（HBM）市场供需紧张态势将延续至2027年。尽管2026-2027年供应过剩压力逐步缓解，但技术升级带来的结构性短缺仍将持续，行业有望迎来长达五年的上行周期。
核心矛盾：技术迭代加速供需失衡
供应端技术跃进
●产能释放节点：2026年HBM供应量将同比提升30%，2027年HBM4/HBM4E合计占比超70%
●技术溢价现象：HBM4因逻辑芯片成本上升及良率损耗，较12层堆叠的HBM3E存在30%-40%价格溢价
●成本传导机制：存储厂商通过每年6%-7%的价格折扣与比特成本降幅维持利润平衡
需求端爆发式增长
●AI算力刚需：2024-2027年ASIC、英伟达、AMD的HBM需求复合年增长率超50%
●巨头主导格局：英伟达2025-2027年需求占比超60%，AMD MI400与Vera Rubin GPU将推动2027年需求反弹
竞争格局：美光崛起，海力士守擂
市场份额演变
●三星困境：HBM认证延迟导致2026年营收份额下滑
●美光突围：凭借扩产策略抢占市场，2026年份额增幅领先同行
●海力士优势：HBM4产品仍保持技术领先，长期营收份额稳居首位
战略分化关键
●逻辑芯片采购：成为存储厂商HBM4产品差异化的核心变量
●产能投资倾向：2025-2030年DRAM行业资本支出复合年增长率达3%，HBM相关投资增速虽放缓但仍保持正增长
行业展望：五年上行周期确立
周期性特征
●库存动态：2026-2027年渠道库存增加1-2周，但技术迭代抵消部分过剩压力
●贸易损耗率：HBM4E/HBM5时代因封装复杂度提升，损耗率上升进一步加剧供应紧张
市场规模预测
●总量扩张：2026年HBM市场总规模（TAM）同比增长超70%，占DRAM总市场的45%及存储位元需求的10%
●长期趋势：机构维持对SK海力士、美光的积极评级，看好其在HBM领域的技术壁垒与客户粘性
结语：技术红利驱动价值重估
HBM市场正经历由AI算力革命引发的结构性变革，技术迭代速度与客户需求增长形成双向拉动。尽管2027年后供需紧张有望逐步缓解，但存储巨头在先进封装、逻辑芯片整合等领域的竞争，将持续重塑行业价值分配。对于投资者而言，把握技术迭代节奏与厂商产能规划，将是捕捉HBM长期红利的关键。
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