【导读】美光科技即将开始量产其12层堆栈高带宽内存 (HBM)，并将其供应给领先的 AI 半导体公司英伟达。
美光科技即将开始量产其12层堆栈高带宽内存 (HBM)，并将其供应给领先的 AI 半导体公司英伟达。
去年 9 月，美光完成了12层堆栈 HBM 的开发，并向英伟达等客户展示了样品。据2月份业内人士透露。 14 日，美光首席财务官Mark Murphy在 Wolfe Research 主办的一场活动中重点强调了该产品的优势。Mark Murphy表示，12 堆栈 HBM 产品比竞争对手的 8 堆栈产品功耗降低 20%，容量增加 50%。他进一步预测，下半年生产的HBM大部分将是12堆栈产品。
HBM 技术的意义在于它能够垂直堆叠 DRAM 芯片，从而提高数据处理速度和带宽，这对于高性能计算任务至关重要，特别是对于用于 AI 应用的 GPU 而言。随着对此类先进内存解决方案的需求不断增长，与 英伟达 签订供应合同对于内存制造商来说变得越来越重要。
美光科技准备凭借其12层堆栈 HBM 引领潮流，但三星电子却发现自己落后了。该公司最近才进入8叠层产品的小规模量产阶段，尚未通过12叠层产品的测试。三星计划在月底向英伟达发送12层堆栈 HBM 样品产品，但最终交付仍需获得批准。这种延迟可能会影响三星在市场上的竞争地位，在市场上，技术领先地位通常意味着市场份额和收入的增加。
与此同时，据报道，另一家半导体行业主要参与者 SK Hynix 正在加快开发 HBM4 以满足英伟达的要求，目标是在年内完成。寻求转型的三星也瞄准年内量产HBM4，应用10纳米级第六代（1c）DRAM。
Mark Murphy还宣布，下一代第六代HBM（HBM4）预计将于明年出货，这标志着半导体行业持续创新和快速发展步伐。随着技术进步的竞争持续，生产12层堆栈 HBM 及更高级别的尖端内存解决方案的能力将显著影响美光、三星和 SK 海力士等公司的财务业绩和市场地位。
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