【导读】受AI快速发展推动的半导体超级周期已经开始，但预期的NAND闪存产量激增尚未实现。与DRAM不同，由于数据中心以外的智能手机和个人电脑等消费产品需求疲软，存储公司在增加产量方面表现出克制。
受AI快速发展推动的半导体超级周期已经开始，但预期的NAND闪存产量激增尚未实现。
与DRAM不同，由于数据中心以外的智能手机和个人电脑等消费产品需求疲软，存储公司在增加产量方面表现出克制。
专家预测，除非AI设备的替换需求大幅上升，并且经济环境刺激消费，否则NAND市场的整体复苏仍将有限。
消息人士透露，三星电子和SK海力士在第二季度NAND产能增加方面均呈现被动趋势。
三星电子的NAND位增长率与去年第一季度相比下降了中个位数（4-6％），而SK海力士的NAND位增长率同期下降了低个位数（1-3％）。
与NAND形成鲜明对比的是，两家公司的DRAM比特率在第二季度均有所增长。
与上一季度相比，三星电子实现了中等个位数（4-6%）的增长，而SK海力士则实现了超过20%的大幅增长。
SK海力士在HBM市场的领导地位以及三星电子通过DDR5和GDDR产品满足AI需求，推动了这一增长。
NAND与DRAM增速差距的原因在于，尽管AI服务器需求旺盛，但智能手机和PC对NAND产品的需求却不旺盛。
此外，NAND制造商数量超过DRAM，目前只有5-6家，导致市场库存量相当可观。
业界预测，下半年NAND位元增速将继续下滑。
专家认为，如果对AI手机和AI PC等设备的替换需求增加，NAND复苏将在服务器以外的应用中加速。
尽管Galaxy S24等AI智能手机和一些AI PC已经发布，但AI设备市场尚未完全打开。
半导体超级周期的特点是技术进步推动需求和投资增加，目前受到人工智能对科技行业的影响。
人工智能应用需要大量的计算能力和存储空间，影响着半导体市场。
主要用于消费电子产品和数据中心的NAND闪存的增长速度不如用于计算过程中临时数据存储的 DRAM。
消费电子市场的现状，尤其是智能手机和个人电脑的需求趋势，对NAND闪存的需求起着至关重要的作用。
经济状况也显著影响着消费者支出和电子产品需求。
AI设备的出现，例如支持AI的智能手机和个人电脑，为未来NAND闪存的需求提供了潜力。
三星电子和SK海力士等继续在内存技术方面进行创新。
HBM、DDR5和GDDR等内存产品的最新进展正在推动AI服务器等特定领域的需求。
半导体行业的历史趋势（包括之前的繁荣与萧条周期）为当前市场状况和未来预测提供了背景。
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