【导读】近日存储芯片产业界表示，随着业界大力投资高带宽存储（HBM）这类DRAM，通用型DRAM预计将出现供应短缺。有消息称三星和SK海力士的通用型DRAM芯片产能利用率在80%~90%之间，这一现象与NAND闪存的全速生产形成鲜明对比。自2024年年初以来，通用型DRAM产能仅提高约10%。
近日存储芯片产业界表示，随着业界大力投资高带宽存储（HBM）这类DRAM，通用型DRAM预计将出现供应短缺。有消息称三星和SK海力士的通用型DRAM芯片产能利用率在80%~90%之间，这一现象与NAND闪存的全速生产形成鲜明对比。自2024年年初以来，通用型DRAM产能仅提高约10%。
与HBM DRAM相比，通用型DRAM指的是用于手机、PC（个人电脑）的内存芯片。随着人工智能（AI）普及，企业级固态硬盘（eSSD）需求激增，促使三星、SK海力士等制造商在2024年第二季度满负荷运行NAND生产线，此外，由于市场条件改善，铠侠于6月结束减产，使得NAND产能利用率恢复至100%。
服务器市场是DRAM需求的主要来源，但全球云计算和科技公司大幅削减AI基础设施投资，使得DRAM需求没有明显复苏。随着换机周期延长，大多数研究机构预测，2024年智能手机、PC和服务器市场的增长率仅为2%~3%。
业界认为，也不排除通用型DRAM需求反弹的可能性，这取决于终端设备AI能力的普及。
目前，PC制造商正推动AI PC概念，三星、苹果等智能手机厂商也积极寻求AI智能手机的机会，不过业界认为，这些努力是否会显著改善通用型DRAM市场，将值得关注。
推荐阅读：
