【导读】据台媒《工商时报》报道，全球四大CSP（云端服务供应商）微软、Google、亚马逊及META持续扩张AI建设，今年资本支出合计上看1700亿美元规模。法人指出，受惠AI芯片需求涌出，但在硅中介层的面积增加，12吋晶圆切出的数量减少，将使台积电旗下CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）产能将持续供不应求。
据台媒《工商时报》报道，全球四大CSP（云端服务供应商）微软、Google、亚马逊及META持续扩张AI建设，今年资本支出合计上看1700亿美元规模。法人指出，受惠AI芯片需求涌出，但在硅中介层的面积增加，12吋晶圆切出的数量减少，将使台积电旗下CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）产能将持续供不应求。
英伟达GPU占全球八成的市占率，研调机构指出，预估至2024年底，台积电CoWoS月产能上看4万片左右，明年底再翻倍；不过，随着英伟达发布B100和B200，单一芯片所使用中介层面积将较原本更大，代表从12吋晶圆上可获得的中介层数量将进一步减少，CoWoS产能依旧紧追GPU需求。
半导体业者指出，从2011年以来CoWoS迭代透露端倪，每一代的硅中介层持续成长，随着中介层面积的增加，可以从12吋晶圆获得的中介层数量减少；此外，安装的HBM数量以倍数在增加，并且HBM标准也持续提升。相关业者透露，该数量仅是将12吋晶圆的面积除以中介层的面积所得到的值，因此实际数量要更少。
另外，在CoWoS中，GPU周围放置多个HBM，HBM也被认为是瓶颈之一。
相关业者表示HBM也是一大难题，采用EUV层数开始逐步增加，以HBM市占率第一的SK海力士为例，该公司于1α生产时应用单层EUV，今年开始转向1β，并有可能将EUV应用提升3～4倍。
除技术难度提升外，随着HBM历次迭代，HBM中的DRAM数量也同步提升，堆叠于HBM2中的DRAM数量为4～8个，HBM3/3E则增加到8～12个，HBM4中堆叠的DRAM数量将增加到16个。
在双重瓶颈之下，短期之内仍难以克服。而竞争对手也相继提出解方，如英特尔以矩形玻璃基板，取代12吋晶圆中介层，然而准备工作，也需要时间和研发投入，有待业者突破。
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