【导读】TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷指出，今年第二季度已开始针对2025年HBM进行议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。
TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷指出，今年第二季度已开始针对2025年HBM进行议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。
对于供应商议价提前的原因，吴雅婷认为一是因为HBM买方对于AI需求展望仍具高度信心；二是HBM3e的TSV良率目前仅约40~60%，HBM买方想要锁定质量稳定的货源；三是未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度以及供应能力产生价差，未来平均销售单价将会因此出现差异，并进一步影响获利，因此愿意接受涨价。
吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，相较DDR5差价大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代，推动2023年~2025年HBM产能及产值占DRAM比例均大幅增长。
产能方面，2023与2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，2025年占比预计将超过10%。产值方面，2024年起HBM占DRAM总产值预估可超过20%，至2025年占比有望超过1/3。
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