【导读】据中信证券研报指出，周期角度，存储行业进入上行周期，短期看24Q1主流存储价格涨幅有望延续、利基存储价格相对稳定；预计全年主流存储价格延续上涨趋势，后续带动利基存储价格上行；成长角度，AI云端终端渗透率提升带动存力升级，释放创新及需求新动力。看好产业链细分龙头业绩持续复苏，以及国产化趋势下的投资机遇。
据中信证券研报指出，周期角度，存储行业进入上行周期，短期看24Q1主流存储价格涨幅有望延续、利基存储价格相对稳定；预计全年主流存储价格延续上涨趋势，后续带动利基存储价格上行；成长角度，AI云端终端渗透率提升带动存力升级，释放创新及需求新动力。看好产业链细分龙头业绩持续复苏，以及国产化趋势下的投资机遇。
另外，光大证券对存储行业同样持乐观态度，认为DRAM和NAND Flash在2024年有望连续4个季度涨价。
2024Q1价格趋势，机构维持先前预测，DRAM合约价季涨幅约13~18%，NAND Flash则是18-23%。
2024Q2虽然目前市场对整体需求看法仍属保守，但DRAM与NAND Flash供应商已分别在2023Q4下旬，以及2024Q1调升产能利用率，加上NAND Flash买方也早在2024Q1将陆续完成库存回补。因此，DRAM、NAND Flash在2024Q2合约价季涨幅皆收敛至3~8%。
2024Q3进入传统旺季，需求端预期来自北美云端服务业者(CSP)的补货动能较强，在预期DRAM及NAND Flash产能利用率均尚未恢复至满载的前提下，两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。其中，DRAM方面，因DDR5及HBM渗透率提升，受惠于平均单价提高，带动DRAM涨幅扩大。
2024Q4在供应商能够维持有效的控产策略的前提下，涨势应能延续，预估DRAM合约价季涨幅约8~13%：DRAM合约价涨幅扩大的原因是来自DDR5与HBM产品市场渗透率上升，若仅观察单一产品，例如DDR5，仍可能出现季跌，意即2024年度的DRAM合约价上涨并非所有颗粒类别全面上扬，而是产品类别逐渐转移之故。NAND Flash合约价季涨幅则预估0~5%。
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