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三星将在ISSCC展示280层3D QLC NAND

发布时间：2024-01-31 责任编辑：lina

【导读】媒体报道，在2024年IEEE-SSCC上，三星除了37Gbps GDDR7内存外，还准备展示其它几项内存创新。

媒体报道，在2024年IEEE-SSCC上，三星除了37Gbps GDDR7内存外，还准备展示其它几项内存创新。

首先，该公司将展示新型280层3D QLC NAND闪存，密度为1Tb，可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为28.5Gb/mm²，速度为3.2GB/s。

即将到来的2024年 ISSCC日程表概述了高速内存的展示计划，其中包括基于三星和SK海力士GDDR7规格的37Gb/s和35.4 Gb/s变体。两家公司都打算利用创新的PAM3和NRZ信号技术，在图形存储器领域取得进步。

虽然GDDR7内存（速度高达32Gb/s）已经正式发布，但三星和海力士正在以更快的内存开发速度进一步突破界限。美光也加入了这场竞争，宣布致力于开发36Gb/s的GDDR7内存，预计最早将于2026年投放市场。在这种竞争态势下，三星和海力士将首先推出速度稍低的模块，很可能在稍后阶段逐步推出35Gb/s模块。

接下来是新一代DDR5内存芯片，其数据传输率为DDR5-8000，密度为32Gbit（4GB）。该芯片采用对称马赛克DRAM单元架构，基于三星专为DRAM产品优化的第5代10纳米级代工节点制造。

该芯片令人印象深刻的是，它允许PC内存供应商以DDR5-8000的速度构建32GB和48GB DIMM（单排配置），以及64GB和96GB DIMM（双排配置）（前提是平台能很好地使用双排的DDR5-8000）。

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