【导读】三星电子在昨天的三星存储技术日中，展示了内存和闪存产品线的最新路线图和时间表并发布针对高性能计算（HPC）市场的 HBM3E 内存芯片。

三星电子在昨天的三星存储技术日中，展示了内存和闪存产品线的最新路线图和时间表并发布针对高性能计算（HPC）市场的 HBM3E 内存芯片。

三星在会上表示其已在 2023 年 5 月开始量产 12nm 级 DRAM，11nm 级正在开发中，它将提供业界最高密度。同时三星还在为亚 10nm DRAM 准备新的 3D 结构从而实现超过 100Gb 的单芯片容量。

而在闪存上，三星透露了第九代 V-NAND 的开发工作已步入正轨，将基于双堆栈结构提供业界最高的层数。三星已获得新型 V-NAND 的功能芯片，并计划明年初开始量产。

三星在昨日一并发布了代号为Shinebolt 的下一代 HBM3E DRAM，其拥有每引脚 9.8 Gbps，总体 1.2TBps 的传输速率。目前三星 HBM3 的 8H 和 12H 产品已经进入量产阶段，HBM3E Shinebolt 样片已发货给客户。此外，三星还计划提供将下一代 HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起的定制一条龙服务。

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