【导读】为了提振NAND Flash芯片市场行情，传三星电子打算在第四季将NAND芯片价格调涨10％以上，且最快自10月开始涨价。随着三星为首的原厂持续减产，存储芯片市场似乎逐渐回暖。
为了提振NAND Flash芯片市场行情，传三星电子打算在第四季将NAND芯片价格调涨10％以上，且最快自10月开始涨价。随着三星为首的原厂持续减产，存储芯片市场似乎逐渐回暖。
传三星将调涨NAND价格近10%
据韩媒Pulse报导，有多位芯片产业消息人士指出，三星电子计划在2023年第4季将NAND产品合约价调高10%以上，主要是认为NAND的供应价格已过低，预料最快本月的新合约就会采用调涨后的价格。
此举被视为三星电子试图透过让价格正常化的策略，来逆转NAND业务的颓势，恢复NAND部门获利能力的行动。
今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NAND Flash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。
如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。
值得一提的是，三星9月已与客户签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NAND Flash Q4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。
此外，还有消息称三星将下调平泽三厂（P3）投资规模，并降低DRAM、NAND Flash扩产规模，其中NAND增设规模或降至原定三分之一水准，加上随着三星持续转换先进制程，设备更换期间带来的自然减产效果预计也将扩大。
业界怎么看？
不仅是三星涨价的消息带动市场，其它存储类厂商也看好存储芯片未来走势。
威刚董事长陈立白日前表示，存储产业历经一线大厂陆续减产后，开始嗅到回春迹象，估计DRAM与NAND Flash最新合约价格将上涨10%-15%，接下来这两者不论是现货价或合约价，将会一路往上，未来1~2年可能出现供应短缺的情况。
群联执行长潘健成指出，9月SSD模块出货量持续出现逐渐回温状况，其中PCIe SSD模块出货量成长更是将近有年增60%的表现，而整体NAND储存位数的年成长率（Bit Growth Rate）和去年相比也增长超过75%，显示系统客户因为库存水位回到正常水位，或甚至低于正常水位后，再加上NAND市场价格回稳起涨的趋势确认，刺激系统客户开始陆续回补库存。
还有中国台湾业界人士指出，目前DRAM现货报价中，以DDR5涨势最为明显，主要是库存较少；而DDR4库存虽偏高，但为三大厂的减产重点项目，朝DDR5扩大生产，预期至2023年底，DDR5销售比重将可达30％～40％，与DDR4用量呈现黄金交叉。不过，法人表示，逻辑代工厂端成熟制程产能利用率未见明显回升，后市效应仍待观察。
值得注意的是，此次也带动了通路商对双十一的预期。内存模块业者透露，虽然市场消费需求欲振乏力，但受惠近期内存的价格上涨，通路端库存达健康水位，即使短期需求并未明显复苏，但预期上游原厂将延续积极减产策略，使终端增加备货的意愿加，以确保未来供货稳定。由于通路端的库存水位接近见底，且惜售低价囤货的预期心态强烈，不倾向采取激烈促销竞争，因此通路商乐观预期双十一可望优于618档期的出货表现。
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