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晶圆厂产能提升,带动全球明年靶材市场至13.9亿美元

发布时间:2023-09-01 责任编辑:lina

【导读】据半导体供应链业务和技术信息的电子材料咨询公司TECHCET最近表示,预测2024年晶圆厂开工量将增加,这将使靶材市场增长至13.9亿美元。


晶圆厂产能提升,带动全球明年靶材市场至13.9亿美元


据半导体供应链业务和技术信息的电子材料咨询公司TECHCET最近表示,预测2024年晶圆厂开工量将增加,这将使靶材市场增长至13.9亿美元。


TECHCET高级总监DanTracy表示:“据报道,靶材的金属矿石供应链是稳定的,尽管它必须适应金属和其他加工材料的更高成本。”


此外,全球能源成本上升继续影响金属供应链的采矿、冶炼和精炼环节。许多关键金属和原材料也严重依赖中国的来源,这导致了金属供应链管理和规划方面的地缘政治担忧。随着美国新工厂的预期增加,目标供应商对美国境内的替代高纯度金属来源表示出兴趣。


从中长期来看,“绿色能源”和“零排放”目标将大大增加对铜、银、钨、钴等金属的需求。新矿山将需要上线以满足这一预测的金属需求,从采矿勘探到生产的时间为10年或更长时间。鉴于西方采矿业的限制和法规,新矿山可能会在采矿法规不太严格的国家选址和开发。这可能会阻碍半导体供应链实现可持续发展目标的努力。回收、回收和再利用也将成为未来金属供应链的关键组成部分,以实现可持续发展和零排放的目标。


在目标应用方面,与先进节点逻辑器件和3D存储器相关的多个处理层将加速PVD目标需求。预计7nm及以下工艺将出现替代互连金属化,M4及以下工艺将增加非PVD(例如CVD/ALD)的使用。然而,先进逻辑节点的3D互连技术将刺激背面配电网络的金属化需求。该网络通过硅通孔(TSV)向基于铜金属化的埋入式电源轨供电,TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充,实现硅通孔的垂直电气互联,是实现3D先进封装的关键技术之一。功率器件(包括SiC器件技术)的增长也将上升,从而带动对铝、钛和背面金属化靶材应用的需求。


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