【导读】作为下一代DRAM工艺，3D DRAM正在引起业界的广泛关注，据悉，美光和SK海力士都致力于该技术的研究，美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利。
据韩媒报道，三星电子正在开发一种4F² DRAM存储单元结构，这一结构比3D DRAM更现实。如果成功的话，据说在不改变节点的情况下，与现有的6F²结构相比，芯片die面积可减少30%左右。4F²结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术，据说工艺难点较多。
报道称，多位负责人24日透露，三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队，以量产4F²单元结构DRAM为目标，计划将4F²应用于10纳米以下的DRAM制程，以目前的技术预计将面临线宽缩减的极限。
来源：AVA，闪存市场
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