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EUV、NIL等下一代光刻专利数量上,台积电远超三星电子

发布时间:2023-01-28 责任编辑:lina

【导读】TechInsights 1月27日发布报告称,在包括EUV在内的下一代光刻技术方面,台积电拥有的专利数量远超三星电子。EUV光刻专利方面,涉及的四家主要公司的专利数量共1114项。其中,卡尔蔡司(353项)和ASML(345项)占据了相当大的比例。


TechInsights 1月27日发布报告称,在包括EUV在内的下一代光刻技术方面,台积电拥有的专利数量远超三星电子。EUV光刻专利方面,涉及的四家主要公司的专利数量共1114项。其中,卡尔蔡司(353项)和ASML(345项)占据了相当大的比例。台积电在晶圆代工界排名第一,拥有279项专利;三星电子为137项,是台积电的一半。


EUV、NIL等下一代光刻专利数量上,台积电远超三星电子

图源:TechInsights


NIL(纳米压印)和 DSA(引导自组装)等替代技术方面,佳能拥有的NIL光刻技术专利数量为913件,台积电拥有145项,三星电子为70项专利;但在DSA光刻专利方面,三星电子拥有68项专利,领先于台积电的24项专利。


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