【导读】韩媒中央日报日文版17日报导，根据市场调查机构Omdia 16日公布的资料显示，2022年4-6月期间三星电子于DRAM市场拿下高达43.4%的市占率、持续稳居龙头位置，且市占率连续第3季呈现扩大。
南韩三星电子持续称霸DRAM市场，4-6月期间横扫逾4成市占、市占率连3季扩大，美国美光(Micron)市占则陷入萎缩。
韩媒中央日报日文版17日报导，根据市场调查机构Omdia 16日公布的资料显示，2022年4-6月期间三星电子于DRAM市场拿下高达43.4%的市占率、持续稳居龙头位置，且市占率连续第3季呈现扩大。
2021年10-12月时三星市占率扩大至41.9%、2022年1-3月扩大至42.7%、2022年4-6月进一步扩大至43.4%。
4-6月期间SK海力士(SK Hynix)以28.1%的市占率位居第2，市占率较前一季(1-3月)的27.1%扬升1个百分点；美光市占率23.6%、位居第3，市占率较前一季的24.8%下滑1.2个百分点。
另外，在NAND型快闪记忆体(Flash Memory)部分，4-6月期间三星以33.3%的市占率稳居首位，不过市占率较前一季的35.5%萎缩2.2个百分点；SK Hynix(包含子公司Solidigm)市占率20.4%位居第2，其次为日本铠侠(Kioxia)的16.0%，美国威腾电子(Western Digital)、美光市占率各为13.0%。
报导指出，DRAM、NAND Flash等记忆体市场受全球景气低迷影响，导致需求萎缩、价格下滑，不过三星基于「积极投资、克服危机」的想法、将进一步积极对记忆体领域进行投资，于10月5日宣布，计划在2023年量产第5代10nm等级DRAM、2024年量产第9代V-NAND。
10年来最大规模铠侠NAND Flash减产3成
铠侠9月30日宣布，旗下生产NAND Flash的四日市工厂(三重县四日市市)和北上工厂(岩手县北上市)将进行生产调整、自10月起将减产3成(晶圆投入量缩减约3成)。
铠侠重申，中长期来看、NAND Flash市场成长可期，因此今后仍将积极从事研发投资、进行新产品研发，实现稳健且持续的成长。
日媒报导，因市况恶化、迫使铠侠大规模减产NAND Flash，铠侠此次的减产规模将是10年来(东芝时代于2012年实施的减产以来)最大。因智慧手机、PC出货急减，也让市场、客户端拥有的NAND Flash、DRAM等记忆体库存膨胀，市况急速恶化。据市场关系人士指出，在最近3个月、还出现向客户提供的报价大砍3成以上的案例。据台湾调查公司TrendForce指出，Q4(10-12月)DRAM价格预估将季减13-18%、NAND Flash价格也预估将季减15-20%。
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