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带宽翻倍+能效优化!Cadence 发布DDR5 IP 方案破局AI算力瓶颈
Cadence基于台积电3nm工艺打造的DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2内存IP实现三大技术突破:1)采用双通道交织架构,通过独立时钟域设计实现数据速率翻倍;2)集成AI驱动的动态功耗管理系统,使能效比(GB/s/W)提升40%;3)开发出三级冗余校验(TRC)技术,将数据传输可靠性提升。特别值得关注的是,该方...
2025-05-22
MOSFET
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SiC集成+宽爬电封装!PI 推出面向800V汽车应用的五款开关IC
Power Integrations推出的1700V InnoSwitch™3-AQ开关IC,首次将1700V碳化硅(SiC)开关与InSOP™-28G宽爬电封装结合,实现初级侧1000VDC高压耐受能力,引脚间爬电距离达5.1mm,满足2级污染环境下的严苛绝缘要求。该技术无需喷涂三防漆,简化生产流程并降低认证成本,为800V纯电平台提供高可靠隔离电...
2025-05-21
功率器件
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突破浪涌瓶颈!AOS新型TOLL封装MOSFET赋能48V热插拔应用
AOS推出的AOTL66935采用自主研发的100V AlphaSGT™ MOSFET技术,通过沟槽工艺实现1.95mΩ超低导通电阻(RDS(ON)),同时结合宽范围安全工作区(SOA)设计,显著提升器件在48V热插拔场景下的峰值电流承载能力与可靠性。该技术有效抑制浪涌电流冲击,降低系统并联器件需求,简化电源拓扑。
2025-05-21
MOSFET
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体积缩小+开关功耗低!东芝发布新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社宣布,其基于第三代碳化硅(SiC)MOSFET技术的四款650V功率器件——TW031V65C、TW054V65C、TW092V65C及TW123V65C正式投入批量生产。该系列采用紧凑型DFN8×8封装,其体积减小90%以上,为开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备提供更高功率密度的解决方案。
2025-05-21
MOSFET
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人眼安全+超密点阵:艾迈斯欧司朗双激光方案引爆AIoT时代3D传感革命
艾迈斯欧司朗通过VCSEL阵列重构技术实现双重突破:BIDOS® P3435 Q BELAGO 1.2采用940nm波长激光器,在4.2mm³封装内集成15,000个独立光点,较传统结构光模组精度提升3倍;BIDOS® P2433 Q V105Q121A-850则开创性地将光电二极管与850nm VCSEL共封装于3.3mm³空间,实现人眼安全与微型化的完美平衡。
2025-05-21
光电传感器
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紧凑设计+多协议支持:贸泽上新Nordic蓝牙SoC加速物联网开发
全球电子元器件代理商贸泽电子宣布,即日起正式开售Nordic Semiconductor nRF54L低功耗蓝牙系统级芯片(SoC)。这款专为物联网设备打造的无线解决方案,在微型封装内集成高性能处理器与超低功耗射频,可完美适配于医疗和智能家居设备、工业物联网、游戏控制器和其他物联网应用。
2025-05-21
SoC
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边缘计算新标杆!贸泽备货Renesas RZ/V2N微处器
全球电子元器件代理商贸泽电子正式开售瑞萨电子(Renesas)RZ/V2N视觉AI微处理器。该芯片集成专用AI加速引擎,支持实时图像处理与边缘推理,在保持1.4TOPS算力的同时优化成本结构,为智能摄像头、服务机器人、后装行车记录仪等场景提供高性价比解决方案。RZ/V2N采用紧凑型封装,适配空间受限的嵌入...
2025-05-20
MCU
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GaN+AHB架构颠覆!大联大诠鼎推出140W适配器方案重塑能效比天花板
大联大诠鼎推出的140W电源适配器方案,通过PFC+AHB非对称半桥架构实现技术跃迁。该方案采用立锜科技RT7333数字PFC控制器,支持400kHz高频工作模式,搭配RT7795 AHB PWM控制器,形成全谐振软开关拓扑。测试数据显示,在230Vac输入条件下,该方案峰值效率达94.2%,较传统LLC架构提升1.8个百分点,空载...
2025-05-20
电源适配器
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车规级碳化硅突围!AOS推出aSiC MOSFET破解高压拓扑能效瓶颈
AOS第三代1200V aSiC MOSFET通过三维材料改性技术实现双重突破:在25℃条件下,15mΩ典型导通电阻较传统硅器件降低62%,而在175℃高温工况下仍能保持85%的初始导通性能。更值得关注的是其开关品质因数(FOM=Rds(on)*Qg)优化至155mΩ·nC,较行业平均水平提升30%。这项突破源于对沟槽栅结构的创新优化——...
2025-05-20
MOSFET
- 强强联手!贸泽电子携手ATI,为自动化产线注入核心部件
- 瞄准精准医疗,Nordic新型芯片让可穿戴医疗设备设计更自由
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