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长鑫存储发布多款国产LPDDR5产品 完善中高端移动设备市场布局
日前，长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。其中，12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。
2023-12-05
DDR3模组
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艾迈斯欧司朗的超低噪声AFE传感器技术有助于增强可穿戴设备对生命体征监测的能力
全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗近日宣布，推出超低噪声模拟前端（AFE）传感器——AS7058，该产品不仅延长了智能手表、智能指环和其他可穿戴设备的电池寿命，同时提高了从光电容积描记（PPG）或电信号中获取的生命体征测量结果的准确性和可靠性。
2023-12-05
电流传感器
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Pickering 可切换高达 1kV的新型高压 SMD 舌簧继电器
高性能舌簧继电器的领先制造商Pickering Electronics宣布推出首款高压表面贴装舌簧继电器，称为 219 系列。该系列舌簧继电器有多种封装形式（尺寸相同，但引脚位置不同）。可以选择1 Form A (SPST)、2 Form A (DPST)或1 Form B (SPNC)触点配置。可切换高达1000V的电压；开关隔离电压高达3000V，而开...
2023-12-05
干簧继电器
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贸泽电子开售适用于远距离边缘应用的Silicon Labs xG28系列SoC
2023年12月1日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起供货Silicon Labs的FG28片上系统 (SoC)。FG28专为远距离网络以及Amazon Sidewalk、Wi-SUN和其他专有协议而设计。
2023-12-01
SoC
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英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度
英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极...
2023-12-04
MOSFET
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS...
2023-12-04
MOSFET
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英飞凌推出全新 PSoC Edge产品系列，扩展微控制器产品组合
英飞凌科技股份公司于近日宣布推出全新的PSoC™微控制器（MCU）产品系列，即PSoC™ Edge。PSoC™产品组合是英飞凌基于Arm® Cortex®内核打造的高性能且低功耗的安全器件。
2023-12-04
MCU
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TDK推出全新 ASIL C 级杂散场稳健型 3D HAL® 传感器
TDK株式会社（TSE：6762）利用适用于汽车和工业应用场景的新型 HAL 3930-4100 及 HAR 3930-4100*，进一步扩充了 Micronas 3D HAL® 位置传感器系列。两个传感器都具备精确的位置检测功能和稳健的杂散场补偿能力，并提供 PWM 或 SENT 的灵活数字输出接口。依据 ISO 26262，单芯片产品已定义为 SEooC（...
2023-12-04
电流传感器
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Transphorm推出业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管
继最近推出三款新型TOLL FET 后，Transphorm新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN® FET。进一步丰富了 Transphorm 的产品线，并彰显了Transphorm SuperGaN 平台采用不同封装形式器件“镓”驭全功率以支持客户应用的市场承诺。
2023-11-29
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