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埃赋隆推出“突破性”Si LDMOS器件，在VHF和UHF应用中效率达到80%
荷兰奈梅亨，2020年7月02日 - 埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布，在其第9代高性能50V Si LDMOS高效率射频功率晶体管产品系列中新增两款产品——BLF978P和BLF974P。这两款产品专为超高功率射频功率放大器而设计，可提供数百千瓦功率，并具有很高的效率和高增益特性。
2020-07-03
大功率管
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太阳诱电0603尺寸车载用途多层陶瓷电容器实现商品化
太阳诱电株式会社使 0603 尺寸多层陶瓷电容器“LMR063 B7103KP-F”（0.6x0.3x0.3mm，额定电压 10V，静电容量 0.01μF）等 13 个品目实现了商品化。
2020-07-03
陶瓷电容
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特瑞仕开发了3种MOSFET新产品--XP22x系列
特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616）开发了3种MOSFET新产品--XP22x系列（20V耐压）——XP224N0601TR、XP224N06013R、XP225N2001TR。
2020-07-03
MOSFET
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瑞士莱姆公司开发了单芯片封装的传感器---HMSR
现代的功率变换系统与比前一代比，必须更高效、小巧和便宜。为此，全球电量传感器领域的先导者瑞士莱姆公司利用多年的丰富经验开发了单芯片封装的传感器---HMSR。
2020-07-02
电流传感器
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青铜剑技术推出多功能高精度脉冲信号发生器
近日，中国IGBT驱动领军企业青铜剑技术推出多功能高精度脉冲信号发生器（PSG-06_V2.0）。PSG-06设备主要用于IGBT、MOSFET及其驱动器测试系统，是IGBT研究、IGBT驱动及其他电源类产品开发做前期设计验证的理想工具，同时也可用于IGBT功率模组的测试系统，服务于产线。
2020-07-02
高频信号发生器
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瑞萨扩展超低功耗嵌入式控制器RE产品家族，具有世界一流能效比
2020 年 7 月 2 日，日本东京讯 ― 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布，扩展其超低功耗嵌入式控制器RE产品家族，推出采用瑞萨突破性的SOTBTM（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋层覆硅）制程工艺、基于Arm® Cortex®-M0+内核构建的新品。该RE01群最新成员搭载256...
2020-07-02
SoC
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Pickering发布全新PXI矩阵开关模块，可有效降低成本
英国Pickering Interfaces公司发布了两款热门PXI矩阵开关模块的最新产品，12槽宽度的的BRIC模块。开关电流1A的40-562B BRIC12模块可容纳最多18个矩阵子卡，可容纳最多3168个节点。开关电流0.5A的40-558 BRIC12模块可容纳最多18个矩阵子卡，可容纳最多9216个节点，是业内规模最大的PXI矩阵开关模块。
2020-07-02
其它模块
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Xilinx 推出新型 Virtex UltraScale+ VU57P FPGA
赛灵思公司（Xilinx）宣布Virtex UltraScale+ 系列产品再添一位独一无二的高速新成员—— Virtex UltraScale+ VU57P FPGA 。这是一款新型高带宽存储器（ HBM ）器件，能够以极快速度、低时延和极低功耗传输条件下大量数据。
2020-07-02
FPGA
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更高效率、更低损耗，UnitedSiC 四种新型SiC FET问市
UnitedSiC推出了四种新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车（EV）逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。
2020-07-02
电源管理IC
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