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安森美新型MOSFET，LGA封装节省更多空间

安森美半导体推出两款新的新的MOSFET器件，LGA封装MOSFET帮助将空间受限的智能手机及平板电脑应用的能效及电池使用时间提升至极致，单节及双节锂离子电池充电/放电保护电路因高性能倒装芯片MOSFET而受益。

2013-06-07

MOSFET

Vishay扩充功率MOSFET家族，导通电阻低至30mΩ

Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族，新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度。

2013-06-06

MOSFET

Vishay超快二极管，反向恢复时间最快仅需28ns

日前，Vishay宣布推出新款Gen2 650V FRED Pt超快二极管，优化系统开关损耗。其中“H”系列裸片器件用于频率40kHz以上应用，具有极快的和软恢复的时间，以及低正向压降和反向峰值电流，“U”系列用于频率最高为40kHz的应用，具有低得多的正向压降，可优化导通损耗。

2013-06-02

快恢复二极管

Silicon Labs新型振荡器，提供超低抖动和±20ppm稳定性

近日，Silicon Labs为云计算推出高性能振荡器Si535和Si536，该差分晶体振荡器采用DSPLL技术，提供超低抖动和±20ppm稳定性，完全满足数据中心交换机、路由器和存储设备对超低抖动性能的需求。

2013-06-01

晶体振荡器

Littelfuse新型多脉冲SIDAC，脉冲电压提高20%

Littelfuse的Kxxx1GL系列Multipulse SIDAC旨在用于220-240V交流线路安装的晶闸管电源控制设备，晶闸管在与电容和变压器搭配使用的情况下，可产生点亮金属卤化物灯泡所需的多个高压脉冲。这些新型设备能以更低的开关损耗实现更高的脉冲电压，对输入电压变化的耐受性更高。

2013-05-29

其它二极管

ST最新功率技术，助力低能耗、高空间效率设计

2013-05-28

MOSFET

Vishay增强型电阻最高工作温度可达+155℃

近日，Vishay为汽车和工业应用，进一步强化其ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT精密薄膜片式电阻阵列的性能。包括能在+155℃下工作，具有±0.1%的严格绝对公差、±0.05%的相对公差，低至±10ppm/K的绝对TCR和±5ppm/K的相对TCR。

2013-05-25

薄膜电阻

TDK 0603尺寸积层Gigaspira磁珠体积减小78%

2013-05-24

磁珠电感

TE下一代规格M.2（NGFF）连接器节约20%使用面积

TE新型下一代规格连接器节约20%使用面积

2013-05-22

存储卡连接器

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TDK 0603尺寸积层Gigaspira磁珠 体积减小78%

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