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Vishay发布通过AEC-Q101认证的首颗MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布首颗通过AEC-Q101认证的采用ThunderFET®技术的TrenchFET®功率MOSFET。为提高效率和节省汽车应用里的空间，Vishay Siliconix 100V N沟道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK® SO-8L和DPAK封装的产品中最低的导通电阻。
2014-05-28
MOSFET
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Vishay发布两个通过AEC-Q101认证的配对高速红外发射器/光电二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两个新的配对高速940nm红外发射器和硅PIN光电二极管，器件通过了AEC-Q101认证，采用小尺寸3mm x 2mm侧视表面贴装封装。VSMB10940X01 / VEMD10940FX01高度为1mm，VSMB11940X01 / VEMD11940FX01的高度为0.6mm，是业内高度最低的侧视产品，通过AEC-Q101，...
2014-05-28
红外收发器
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Vishay发布具有1.5MHz的开关频率和95%的效率的4A同步降压稳压器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款可编程开开关频率高达1.5MHz，输入电压4.5～15V的4A器件，扩充其microBUCK®系列集成式同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiP12109在节省空间的3mm x 3mm QFN-16封装内集成了高边和低边功率MOSFET，为设计者提供了面积只有18...
2014-05-27
其它稳压管
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Vishay发布高压应用的宽体IGBT/MOSFET驱动
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于电机驱动、新能源、焊接设备和其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的...
2014-05-26
IGBT模块
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Murata将薄膜可变电容器产品化以满足NFC技术需求
可是，由于不同用途和不同地域的关系NFC通信规格的上升趋势导致每个规格的最佳共振频率范围不同。此外，根据NFC功能（卡模拟功能、读写功能等）的不同最佳共振频率范围也不同。另外也不得不考虑NFC天线电感值的变化。因此，为了相对简单地具备NFC的功能，共振频率匹配装置的必要性正在逐渐提高。村...
2014-05-23
薄膜电容
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Murata发布无线通信设备用晶体振荡子XRCGD系列
株式会社村田制作所多年来提供的陶瓷振荡子CERALOCK®对应了市场所需的高精度时钟元件，使用独特技术并与东京电波株式会社共同开发的小型、高可靠性晶体振荡子从2009年就已经面向一般民生市场开始量产。其最大特征是封装中采用CERALOCK®具有的长期跟踪记录的独特"Cap Chip"构造。因此具备了高生产性...
2014-05-22
晶体振荡器
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Murata发布无线通信设备用晶体振荡子XRCGD系列
株式会社村田制作所多年来提供的陶瓷振荡子CERALOCK®对应了市场所需的高精度时钟元件，使用独特技术并与东京电波株式会社共同开发的小型、高可靠性晶体振荡子从2009年就已经面向一般民生市场开始量产。其最大特征是封装中采用CERALOCK®具有的长期跟踪记录的独特"Cap Chip"构造。因此具备了高生产性...
2014-05-22
晶体振荡器
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Vishay推出超小尺寸的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。
2014-05-24
MOSFET
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Vishay推出0805外形尺寸的PATT精密车用可胶合薄膜片式电阻
发布的Vishay Dale薄膜电阻在155℃和满额定功率耗散条件下可以将±0.2%的负载寿命稳定率保持1000小时，适用于要求对高温环境中的低偏置和温度漂移进行补偿的低噪声模拟信号处理，包括发动机舱的汽车应用、高精度石油和天然气勘探，以及工业和通信设备
2014-05-23
其它电阻
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