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推动智能手机最小化潮流的Molex新型Micro-SIM卡插座
全球领先的全套互连产品供应商Molex公司扩展其面向移动设备制造商的micro-SIM卡插座产品系列，推推式micro-SIM卡插座设计用于智能手机、平板电脑、GPS手表和其它的空间受限应用，具有高接触力和先进的卡保持特性，以防止意外弹出。推拉式插座型款具有防短路和卡位极性特性，新的卡屉式(card-tray)型...
2012-12-06
SIM卡连接器
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Littelfuse新款二极管：为USB 3.0和HDMI接口提供ESD保护
全球电路保护领域的领先企业，近日宣布研制出新型 SP3012-06UTG 低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列（SPA器件）。 新产品经过优化，可保护高速数据线的敏感芯片组免受任何外部ESD（静电放电）的破坏。 其典型应用包括LCD/PDP电视、DVD/蓝光播放机、台式电脑、MP3/PMP、机顶盒、智能手机、超级本/笔记...
2012-12-06
瞬变抑制二极管
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Vishay发布4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK 1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.75mm还要低28%，同时保持相同的...
2012-11-29
MOSFET
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小尺寸SOP-4封装集成关机功能的光隔离式MOSFET
Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器，器件采用小尺寸SOP-4封装并集成关机功能，具有8.8V的开路电压和47µA的短路电流，隔离测试电压达4500VRMS。
2012-11-13
MOSFET
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无需外部电源的双向NFC芯片：可缩减一半成本
奥地利微电子推出新的接口芯片AS3953 NFiC提供全双向近场通信功能，并从无线电发射获取能量，并且不需要外部电源，可以帮助系统设计人员仅以不到以前一半的总体成本来集成全双向NFC功能。
2012-11-05
NFC芯片
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Vishay推出17款600V N沟道功率MOSFET
Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列，新的E系列器件具有低至39mΩ的导通电阻和7A～73A电流，采用的超级结技术可实现低FOM和高功率密度，具有8种封装。
2012-10-22
MOSFET
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提供 95% 效率的 2.5A、15V 同步升压型稳压器
凌力尔特最新2.5A、15V 同步升压型稳压器，采用 3mm x 4mm DFN 封装，可以提供提供 95% 效率、3MHz 开关频率和输出断接功能。该器件非常适用于电池或标准 3.3V 和 5V 电源，也延长了手持式应用中电池的使用寿命。
2012-10-19
DC/DC电源模块
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适用于便携消费电子产品的超小超薄小信号MOSFET
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体扩充公司宽广的接口及电源管理产品阵容，推出一对优化的超小超薄小信号MOSFET，用于空间受限的便携消费电子产品，如平板电脑、智能手机、GPS系统、数字媒体播放器及便携式游戏机。
2012-10-18
MOSFET
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Vishay推出具有业界最低导通电阻MOSFET
Vishay采用P沟道TrenchFET Gen III技术的12V和30V MOSFET具有业界最低导通电阻。该器件在4.5V下具有业内较低的13.5mΩ导通电阻，MOSFET的低导通电阻还意味着负载开关上的电压降更低，可防止有害的欠压锁定现象。
2012-10-08
MOSFET
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