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英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度
英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极...
2023-12-04
MOSFET
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS...
2023-12-04
MOSFET
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英飞凌推出全新 PSoC Edge产品系列，扩展微控制器产品组合
英飞凌科技股份公司于近日宣布推出全新的PSoC™微控制器（MCU）产品系列，即PSoC™ Edge。PSoC™产品组合是英飞凌基于Arm® Cortex®内核打造的高性能且低功耗的安全器件。
2023-12-04
MCU
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TDK推出全新 ASIL C 级杂散场稳健型 3D HAL® 传感器
TDK株式会社（TSE：6762）利用适用于汽车和工业应用场景的新型 HAL 3930-4100 及 HAR 3930-4100*，进一步扩充了 Micronas 3D HAL® 位置传感器系列。两个传感器都具备精确的位置检测功能和稳健的杂散场补偿能力，并提供 PWM 或 SENT 的灵活数字输出接口。依据 ISO 26262，单芯片产品已定义为 SEooC（...
2023-12-04
电流传感器
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Transphorm推出业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管
继最近推出三款新型TOLL FET 后，Transphorm新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN® FET。进一步丰富了 Transphorm 的产品线，并彰显了Transphorm SuperGaN 平台采用不同封装形式器件“镓”驭全功率以支持客户应用的市场承诺。
2023-11-29
其它
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Microchip推出PIC18-Q24 系列单片机，为增强代码安全性设置新标准
从手机、汽车到智能恒温器和家用电器，越来越多日常设备与云端相连。随着连接性增多，在芯片层面部署先进的安全措施以保护固件和数据，就变得至关重要。为了应对当前和不断扩大的安全威胁，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日发布PIC18-Q24 系列单片机（MCU）。
2023-12-01
柔性PCB
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Diodes 公司的低功耗 1.8V、2.5Gbps、双数据通道 ReDriver 支持 MIPI D-PHY 1.2 协议
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI® D-PHY 1.2 协议的信号 ReDriver™。PI2MEQX2503 可重建从相机传输到显示器的信号，数据传输速率高达 2.5Gbps，适用于笔记本电脑、平板电脑、手机、物联网 (IoT) 设备、商用显示器、增强现实头戴显示器、无人机和机器人等各种...
2023-12-01
收发器
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亚信推出低功耗AX88772E免驱动USB 2.0转百兆以太网芯片
亚信电子最新推出的AX88772E USB 2.0转百兆以太网控制芯片，具有小封装、低功耗和免驱动（Driverless）的特性，不仅满足客户对节能减碳的产品需求，并可轻松实现简便地即插即用（Plug and Play）的连网体验。
2023-12-01
SD/MMC主控芯片
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英飞凌推出适用于高能效电动汽车快充的650V CoolMOS™ CFD7A
向电动汽车的加速转型推动汽车充电系统取得了重要的创新成果，这愈发需要更具成本效益的高性能功率电子器件。为此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出QDPAK封装，进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件相比，采用QDPAK封装的产品系列具有...
2023-12-01
充电器
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