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针对发动机压电喷射系统的车用功率MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET，适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
2012-08-20
MOSFET
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采用小尺寸0402 ChipLED封装的多色彩新型超亮LED
近日，Vishay宣布，其光电子产品部发布新系列采用小型表面贴装0402 ChipLED封装的大红、浅橙、黄、嫩绿、蓝色和白色的超亮LED。该系列器件的尺寸为1.0mm x 0.5mm，高0.35mm ，180mcd的发光强度实现了超群亮度。
2012-08-20
LED
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针对超薄设备，具有‘免损毁’插配保护特性新型线对板连接器
全球领先的全套互连产品供应商Molex公司推出新的通孔(through-hole) Micro-Lock单排连接器产品线，用于数据/通信、电信、网络设备和消费电子产品，包括游戏机和LCD及PDP平板显示器的线对板应用。Micro-Lock确立锁闩(positive-lock) 2.00 mm间距连接器具有6.00 mm的低插配侧高和‘免损毁’设计特性，防...
2012-08-16
线对板
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中等电压MOSFET新成员：提高功率密度并增加SMPS效率
提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外，这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案，以便最大限度地减小线路板空间，同时提高效率和降低功耗。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩展PowerTrench MOSFET系列来帮...
2012-08-16
MOSFET
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Sequans首款LTE基带系统芯片得到中国移动的青睐
4G芯片厂商Sequans公司宣布,很快将向其主要客户提供首款LTE芯片SQN3010的试用品。经过数月的开发,该芯片将首先交付中国移动使用。作为TD-LTE技术的主要倡导者,中国移动选择Sequans为其提供TD-LTE芯片和USB适配器,用于中国移动在上海2010年世博会部署的世界首个TD-LTE示范网。
2012-08-14
LTE-Advanced功放
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创毅推40纳米TD-LTE终端基带芯片WarpDrive5000
近日，创毅正式推出兼容3GPP R9版本的40nm工艺 WarpDrive 5000芯片。该款芯片支持TD-LTE FDD/TDD共模，采用40纳米工艺，兼容3GPP LTE 标准 (Release-9)，采用超低功耗设计，支持多种上下行配比及同频、异频测量和切换，支持CAT4速率等级，下行高达150Mbps，值得一提的是该款产品是全球第一款支持先...
2012-08-14
LTE-Advanced功放
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联芯科技LC1713 TD-HSPA/GGE Modem基带芯片适用于LTE多模产品
日前，联芯科技推出INNOPOWER®LC1713 TD-HSPA/GGE Modem基带芯片。
2012-08-14
LTE-Advanced功放
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联芯科技业界首款支持ZUC祖冲之算法的LTE多模基带芯片
日前，联芯科技在其2012年度客户大会上，推出TD-LTE/LTE FDD/TD-HSPA/GGE多模芯片LC1761和TD-LTE/LTE FDD双模基带芯片LC1761L。两款芯片为目前业界首款同时支持硬件加速ZUC祖冲之算法，3GPP Release 9和LTE Category 4能力的LTE终端芯片，能率先满足LTE预商用背景下工信部、中国移动对于多模终端芯...
2012-08-14
LTE-Advanced功放
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ANADIGICS推出HELP3DC技术的功放与LTE兼容
ANADIGICS, Inc. (纳斯达克股票代码：ANAD) 是全球首屈一指的射频 (RF) 和混合信号半导体解决方案供应商。该公司近日推出采用其第三代低功耗高效率 (HELP™) 技术的全新功率放大器 (PA) 系列产品。新的HELP3DC™ AWT663x系列功率放大器专门针对CDMA、WCDMA/HSPA和LTE设备中包含开关模式电源 (SMPS) 、...
2012-08-13
LTE功放
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