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Vishay扩充功率MOSFET家族，导通电阻低至30mΩ
Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族，新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
2013-06-06
MOSFET
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Vishay超快二极管，反向恢复时间最快仅需28ns
日前，Vishay宣布推出新款Gen2 650V FRED Pt超快二极管，优化系统开关损耗。其中“H”系列裸片器件用于频率40kHz以上应用，具有极快的和软恢复的时间，以及低正向压降和反向峰值电流，“U”系列用于频率最高为40kHz的应用，具有低得多的正向压降，可优化导通损耗。
2013-06-02
快恢复二极管
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Silicon Labs新型振荡器，提供超低抖动和±20ppm稳定性
近日，Silicon Labs为云计算推出高性能振荡器Si535和Si536，该差分晶体振荡器采用DSPLL技术，提供超低抖动和±20ppm稳定性，完全满足数据中心交换机、路由器和存储设备对超低抖动性能的需求。
2013-06-01
晶体振荡器
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Littelfuse新型多脉冲SIDAC，脉冲电压提高20%
Littelfuse的Kxxx1GL系列Multipulse SIDAC旨在用于220-240V交流线路安装的晶闸管电源控制设备，晶闸管在与电容和变压器搭配使用的情况下，可产生点亮金属卤化物灯泡所需的多个高压脉冲。这些新型设备能以更低的开关损耗实现更高的脉冲电压，对输入电压变化的耐受性更高。
2013-05-29
其它二极管
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ST最新功率技术，助力低能耗、高空间效率设计
ST最新功率技术，助力低能耗、高空间效率设计
2013-05-28
MOSFET
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Vishay增强型电阻 最高工作温度可达+155℃
近日，Vishay为汽车和工业应用，进一步强化其ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT精密薄膜片式电阻阵列的性能。包括能在+155℃下工作，具有±0.1%的严格绝对公差、±0.05%的相对公差，低至±10ppm/K的绝对TCR和±5ppm/K的相对TCR。
2013-05-25
薄膜电阻
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TDK 0603尺寸积层Gigaspira磁珠 体积减小78%
TDK 0603尺寸积层Gigaspira磁珠 体积减小78%
2013-05-24
磁珠电感
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TE下一代规格M.2（NGFF）连接器 节约20%使用面积
TE新型下一代规格连接器 节约20%使用面积
2013-05-22
存储卡连接器
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Vishay固钽片式电容器再添新成员 已通过DLA认证
Vishay固钽片式电容器再添新成员 已通过DLA认证
2013-05-21
钽电容
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