你的位置:首页 > 新品 > 正文

内存接口技术新突破:瑞萨第六代DDR5 RCD实现9600MT/s传输速率

发布时间:2025-11-12 责任编辑:lina

【导读】瑞萨电子今日正式推出业界首款面向DDR5 RDIMM的第六代寄存时钟驱动器(RCD),率先实现9600MT/s的数据传输速率,较上一代产品性能提升10%,为下一代AI服务器和高性能计算平台树立了新的性能标杆。


瑞萨电子今日正式推出业界首款面向DDR5 RDIMM的第六代寄存时钟驱动器(RCD),率先实现9600MT/s的数据传输速率,较上一代产品性能提升10%,为下一代AI服务器和高性能计算平台树立了新的性能标杆。


内存接口技术新突破:瑞萨第六代DDR5 RCD实现9600MT/s传输速率


瑞萨第六代DDR5 RCD的关键特性


●带宽较瑞萨第五代RCD提升10%(9600MT/s vs 8800MT/s)

●向后兼容第五代平台:提供无缝升级路径

●增强信号完整性与能效:支持AI、HPC,及LLM工作负载

●扩展的决策反馈均衡架构:提供八个Taps和1.5mV精度的电压调整,实现卓越的裕量调谐

●决策引擎信号遥测与裕量调节(DESTM):改进系统级诊断功能可提供实时信号质量指示、裕量可视化以及诊断反馈,以支持更高速度运行


突破性性能提升,满足AI算力需求


这款代号为RRG5006x的第六代RCD芯片在多个维度实现了技术突破。它不仅将传输速率从第五代的8800MT/s提升至9600MT/s,还通过创新的架构设计显著改善了信号完整性和能效表现。特别值得关注的是,该产品保持了向后兼容性,为现有第五代平台用户提供了无缝升级路径。


瑞萨电子内存接口事业部副总裁Sameer Kuppahalli指出:“生成式AI的爆发式增长推动了SoC核心数量的激增,进而将内存带宽与容量需求推向前所未有的高度。第六代DDR5 RCD充分彰显出瑞萨致力于内存接口创新、开拓前沿技术,并提供满足市场需求解决方案的坚定承诺。”


先进技术特性,优化系统性能


新一代RCD集成了多项创新技术,包括扩展的决策反馈均衡架构,提供八个Taps和1.5mV精度的电压调整功能,实现了卓越的裕量调谐能力。其独有的决策引擎信号遥测与裕量调节(DESTM)技术,可提供实时信号质量指示、裕量可视化以及诊断反馈,大幅提升了系统级诊断能力。


这些技术突破使得新型DDR5 RDIMM能够更好地满足人工智能、高性能计算及大语言模型训练等内存密集型工作负载的需求,为数据中心应对日益增长的计算压力提供了关键技术支持。


产业合作共赢,共建生态体系


在产品开发过程中,瑞萨与包括三星电子在内的行业领军企业开展了深度合作。三星电子DRAM产品规划副总裁Indong Kim表示:“我们很高兴将Gen6 RCD集成至DDR5 DIMM中,覆盖多个SoC平台,以满足AI、HPC及其它内存密集型工作负载日益增长的需求。”


这一合作延续了两公司在多代内存接口组件领域的良好合作传统,包括此前成功完成的Gen5 DDR5 RCD和PMIC 5030认证工作,为新一代产品的快速落地奠定了坚实基础。


市场应用前景与供货计划


目前,瑞萨已开始向包括所有主流DRAM供应商在内的特定客户提供RRG5006x RCD样品,预计于2027年上半年启动大规模量产。该产品专为满足下一代服务器平台的严苛要求而设计,具备卓越的性能、可靠性与可扩展性。


瑞萨还宣布将在11月16日至21日于美国圣路易斯举办的SC25大会上展示其内存接口解决方案,届时行业用户可亲身体验这款创新产品的技术优势。


我爱方案网


推荐阅读:

三屏显示+双网口:安勤BMX-P820打造工业级全能计算平台

磁传感技术全面进化:艾为Hyper-Hall™系列推动智能设备体验升级

尺寸缩小,性能不减:ROHM 100V MOSFET引领高密度电源新趋势

双芯驱动智能光控:大联大世平矩阵式大灯方案提升夜间行车安全

国产芯片再突破:合肥芯谷微电子多频段开关滤波器实现30dB带外抑制

特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索
 

关闭

 

关闭