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英飞凌推出HYPERRAM存储芯片,可将高性能低引脚数解决方案的带宽提高一倍

发布时间:2022-09-29 责任编辑:wenwei

【导读】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新型HYPERRAM™ 3.0器件,进一步完善其高带宽、低引脚数存储器解决方案。该器件具有全新的16位扩展HyperBus™接口,可将吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM™ 3.0器件后,英飞凌可提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器产品组合。该芯片非常适用于需要扩展RAM存储器的应用,包括视频缓冲、工厂自动化、人工智能物联网(AIoT)和汽车车联网(V2X),以及需要便笺式存储器进行数据密集型计算的应用。


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新型HYPERRAM™ 3.0存储芯片


英飞凌科技汽车电子事业部高级营销和应用总监Ramesh Chettuvetty表示:“英飞凌在存储器解决方案领域拥有近三十年的深厚专业积淀,我们十分高兴为市场带来又一款行业首创产品。全新HYPERRAM™ 3.0存储器解决方案每个引脚的数据吞吐量远高于PSRAM、SDR DRAM等市面上现有的技术。其低功耗特性能够在不牺牲吞吐量的情况下实现更低的功耗,因此这款存储器是工业和物联网解决方案的理想选择。”


英飞凌HYPERRAM™是一款基于PSRAM的独立易失性存储器,它可提供一种经济实用的添加方式来扩展存储器。其数据速率与SDR DRAM相当,但所用的引脚数更少,功耗更低。HyperBus™接口每个引脚的数据吞吐量更高,从而可以使用引脚数较少的微控制器(MCU)和层数较少的PCB,为目标应用提供复杂性更低以及成本更优化的的设计方案。


关于HYPERRAM™


英飞凌在2017年推出了第一代支持HyperBus™接口的HYPERRAM™器件。第二代HYPERRAM™器件于2021年推出,同时支持OctalxSPI和HyperBus™ JEDEC兼容接口,最高数据速率可达到400 MBps。第三代HYPERRAM™器件支持新的扩展HyperBus™接口,实现了800 MBps的数据速率。HYPERRAM™器件的密度范围为64 Mb至512 Mb,经AEC-Q100认证并可支持最高125℃工业和汽车温度等级。


供货情况


使用BGA-49封装的HYPERRAM™ 3.0器件现已开放订购。如需了解更多信息,请访问www.infineon.com/HYPERRAM。


关于英飞凌


英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体解决方案提供商,致力于让生活更便捷、更安全、更环保。英飞凌的微电子技术是通向美好未来的关键。英飞凌在全球拥有约50,280名员工,2021财年(截至9月30日)的收入约为111亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)及美国场外交易市场OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)上市。


更多信息,请访问www.infineon.com


更多新闻,请登录英飞凌新闻中心:https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/press-releases/


英飞凌中国


英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约2600名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。



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