【导读】英飞凌科技公司日前宣布推出第二代非易失性静态SRAM（nvSRAM）。这款新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格认证，可支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航空航天和工业应用。
3月23日消息，英飞凌科技公司日前宣布推出第二代非易失性静态SRAM（nvSRAM）。这款新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格认证，可支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航空航天和工业应用。
256 kb的STK14C88C和1 Mb的STK14CA8C nvSRAM采用32引脚300mil双列直插式陶瓷封装，符合MIL-PRF-38535 QML-Q规格（-55°C至125°C）和英飞凌的工业标准（-40°C至85°C）。除了工业炉和铁路控制系统外，5 V和3 V版本都支持用于航空航天、通信和导航系统的引导代码、数据记录和校准数据存储。英飞凌还提供晶圆销售，以支持系统的封装解决方案。
"新一代的nvSRAM扩展了英飞凌在电荷阱存储器方面的领导地位，"英飞凌科技公司航空航天和国防部副研究员Helmut Puchner说。"我们扩展的nvSRAM系列中的这些QML-Q和高可靠性、工业合格的器件，表明我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。"
英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与同类最佳的SONOS非易失性技术相结合。在正常工作条件下，nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM，然而，在断电的情况下，nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，数据在那里受到20年以上的保护。
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