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Kioxia推出了新一代UFS Ver. 4.0设备

发布时间:2023-06-02 责任编辑:lina

【导读】持续推进通用闪存存储技术[1](UFS)的发展,Kioxia Corporation是全球领先的存储解决方案提供商,宣布推出新一代高性能UFS Ver. 4.0嵌入式闪存存储设备,并已开始进行样品试制[2]。这些设备采用小型封装,可提供快速的内置存储传输速度,并针对各种下一代移动应用程序进行优化,包括最先进的智能手机。Kioxia UFS产品带来了更高效的性能,使得这些应用程序可以充分利用5G连接带来的好处,从而实现更快的下载速度,减少延迟时间,并改善用户体验。


借助新推出的256GB、512GB和1TB设备,智能手机和移动应用程序可以充分利用5G网络


持续推进通用闪存存储技术[1](UFS)的发展,Kioxia Corporation是全球领先的存储解决方案提供商,宣布推出新一代高性能UFS Ver. 4.0嵌入式闪存存储设备,并已开始进行样品试制[2]。这些设备采用小型封装,可提供快速的内置存储传输速度,并针对各种下一代移动应用程序进行优化,包括最先进的智能手机。Kioxia UFS产品带来了更高效的性能,使得这些应用程序可以充分利用5G连接带来的好处,从而实现更快的下载速度,减少延迟时间,并改善用户体验。


Kioxia推出了新一代UFS Ver. 4.0设备

Kioxia:UFS Ver. 4.0嵌入式闪存存储设备 (照片:美国商业资讯)


Kioxia推出的UFS Ver. 4.0设备将公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器集成在JEDEC标准封装中。该设备采用MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0技术,支持每条通道高达23.2GB/s或每个设备高达46.4GB/s的理论接口速度。此外,UFS 4.0还向下兼容UFS 3.1。


主要特点包括:

· 相较于上一代产品[3],性能有所提升:18%的顺序写入速度增幅,30%的随机写入速度增幅和13%的随机读取速度增幅

· 支持高速链路启动序列(HS-LSS)功能:使用传统的UFS时,设备和主机之间的链路启动是在低速PWM-G1(3~9MB/s[4])上执行的,而使用HS-LSS时,则可以以更快的HS-G1 A速率(1248MB/s)执行。相比于传统方法,预计这将使链路启动时间减少约70%。

· 增强安全性:利用高级RPMB(重放保护内存块)更快地读写安全数据,如存储在RPMB区域的用户凭据等数据,并使用RPMB清除功能确保废弃数据得到安全、快速消毒。

· 支持扩展初始化程序ID(Ext-IID):旨在与UFS 4.0主机控制器上的多循环队列(MCQ)一起使用,以提高随机性能。


相关链接:
Kioxia的UFS Ver. 4.0嵌入式闪存存储设备产品信息
https://www.kioxia.com/en-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html


注:

[1]通用闪存存储(UFS)是一种产品类别,可用于构建符合JEDEC UFS标准规范的嵌入式内存产品。由于其串行接口,UFS支持全双工传输,这使得主机处理器和UFS设备可以同时进行读写操作。
[2]该公司最新的设备有三种容量:256GB、512GB和1TB。 256GB和512GB设备的样品已于本月开始发货,而1TB设备预计将在十月之后推出。请注意,样品规格可能与商业产品有所不同。
[3]比较Kioxia新款512GB UFS Ver. 4.0嵌入式闪存存储设备和之前一代的512GB UFS Ver. 4.0嵌入式闪存存储设备(部件号THGJFJT2T85BAT0)。
[4]PWM-G1通信速度取决于主机和设备。


*涉及到Kioxia产品时,产品密度是基于内存芯片的密度而确定的,而不是最终用户可用于数据存储的内存容量。由于开销数据区域、格式化、坏块和其他限制,消费者可用容量将会减少,并且还可能因主机设备和应用程序而有所不同。如需了解更多详细信息,请参阅适用的产品规格。1KB的定义为2^10字节=1,024字节;1GB的定义为2^30字节=1,073,741,824字节;1GB的定义为2^30字节=1,073,741,824字节;1TB的定义为2^40字节=1,099,511,627 ,776字节。

*读写速度是在Kioxia Corporation特定测试环境下获得的最佳结果,但并不代表每个设备都能达到相同的读取或写入速度。实际使用中,由于所用设备和文件大小等因素影响,读写速度可能会有所变化。

*公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。


关于Kioxia

Kioxia是全球领先的存储解决方案提供商,致力于开发、生产和销售闪存和固态硬盘(SSD)。在2017年4月,Kioxia的前身Toshiba Memory从Toshiba Corporation中独立出来。Toshiba Corporation是于1987年发明NAND闪存的公司。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择,并为社会创造基于存储技术的价值,从而提升世界的“记忆”。Kioxia的创新3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造高密度应用领域的存储未来,包括先进的智能手机、个人电脑、固态硬盘(SSD)、汽车和数据中心等领域。


*本文档中的信息,包括产品价格和规格、服务内容和联系信息,在公告日期是正确的,但如有变更恕不另行通知。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: https://www.businesswire.com/news/home/20230530005312/zh-CN/


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