【导读】供应多种高效能功率半导体产品的 Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 推出完整的 130W USB Type-C® 供电 (PD) 3.0 转接器评估和开发工具包。这款全新解决方案使用 SuperGaN® FET，此产品来自 Transphorm 公司 (OTCQX：TGAN)，其为全球高可靠性、高效能氮化镓 (GaN) 功率转换产品的领先供货商。
这款套件将 Diodes 的创新高效能 ACF 控制器，与 Transphorm 公司具有输入功率因子校正 (PFC) 的专利常闭式 SuperGaN Gen IV 装置相结合。与增强型氮化镓 (e-mode GaN) 及硅晶型系统相比，这项解决方案提供低待机功率、更高的效率、前所未有的热效能，以及最佳的系统物料列表 (BOM) 成本。它超越了 DOE VI 和 COC Tier 2 的功率效率要求，且可以增加功率密度。
Diodes 公司 的 ACF 解决方案可利用新一代电源转换技术，配置效能高于传统反驰式系统，在 USB PD 充电产品应用中的成本，也显著低于半桥谐振 LLC 解决方案。新的 130W ACF SuperGaN 套件也不例外，能够便捷地评估先进技术，同时加快上市时间。其功能包括：
● 高功率峰值效率：> 93.5%
● 高功率因子：60% 负载下 > 0.90
● 超低总谐波失真 (THD)：60% 负载下 < 18%
● 低待机功率：< 43mW
● 最低切换器温度：< 75°C
这款套件使用 Diodes 的三款主要控制器及 Transphorm 的两款 SuperGaN FET：
● AP3306：专为满足超低待机功率与高功率密度要求而设计的高度整合 ACF 控制器，具有全面的保护机制。
● APR340：用于次级侧同步整流的 MOSFET 驱动器。
● AP43771V: USB Type-C PD3.0 译码器，具有开关 N 通道 MOSFET 控制和强大的保护功能。
● 两个 TP65H150G4LSG 装置： SuperGaN 650V、150mΩ FET，分别用于 PFC 控制和 ACF 控制阶段。
Diodes 公司 ACDC 电源与照明 (APL) 部门经理 Ernest Lin 表示：「Diodes公司 的 AP3306 ACF 控制器对于 45W 至 140W 的各种电源转接器，可以达到高整合度、低待机功率、最佳系统成本及多功能保护，而我们符合 PPS 规范的 AP43771V USB-PD 控制器，其 MCU 具有可客制化的虚拟多时间可程序区域，支持不同的快速充电器电源配置文件。Transphorm 的 SuperGaN 技术让我们能够提供最高效率、最低装置温度，最终推出具备高功率密度且易于驱动的转接器系统，无需任何额外的驱动器或复杂的接口。」
Transphorm 技术销售与现场产品应用部门副总裁 Tushar Dhayagude 表示：「Diodes 公司是 USB-PD 转接器市场中的创新者，提供了众多控制器产品，他们所提供的开发工具包对我们来说是一个宝贵的机会，可以协助客户快速实现高效能笔记本电脑的 GaN 电源转换优势。随着市场上出现更多大于 100 W的充电器，转接器市场才开始了解到先进的 ACF 拓扑结构为功率和成本节约带来的好处。Transphorm 的 SuperGaN FET 产品拥有最高的效率、简单的设计和可驱动性，以及市场上最强大和最高的闸极噪声抗扰性。」
制造商可以透过简单易用的 130W USB PD ACF 套件，快速客制化和设计具有 USB-C、PPS 和多通讯协议配置的 90W 至 150W 转接器。现可向 Diodes公司官网 索取此套件。
SuperGaN 标志为 Transphorm, Inc. 的注册商标。
USB Type-C® 和 USB-C® 为 USB 开发者论坛 (USB Implementers Forum) 的注册商标。
所有产品名称、标志、品牌、商标与注册商标均为其个别持有人的财产。
关于 Diodes Incorporated
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 是一家标准普尔小型股 600 指数和罗素 3000 指数成员公司，为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的全球领先公司提供高质量半导体产品。我们拥有丰富的产品组合以满足客户需求，内容包括分立、模拟、逻辑与混合信号产品以及先进的封装技术。我们广泛提供特殊应用解决方案与解决方案导向销售，加上全球 31 个站点涵盖工程、测试、制造与客户服务，使我们成为高产量、高成长的市场中的优质供货商。详细信息请参阅 www.Diodes.com。
关于 Transphorm
Transphorm, Inc. 是引领 GaN 革命的全球领导者，为高压功率电源转换产品应用，设计及生产具备高效能和高可靠性的 GaN 半导体。Transphorm 拥有庞大的功率 GaN 知识产权组合，持有或授权超过 1000 项专利，生产业界首款符合 JEDEC 及 AEC-Q101 标准的高压 GaN 半导体装置。Transphorm 的垂直整合装置商业模式，使得每个开发阶段皆能进行创新：设计、制造、装置和产品应用支持。Transphorm 的创新成果使电力电子技术超越硅材的限制，达到 99% 以上的效率、40% 以上的功率密度，并降低 20% 系统成本。Transphorm 企业总部位于美国加州戈利塔，在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需更多信息，请造访 www.transphormusa.com。请在 Twitter 上关注我们 @transphormusa，也请在微信上关注我们 @Transphorm_GaN。
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