【导读】Power Integrations 正式推出全新2200V PowiGaN氮化镓技术，突破了当前商用氮化镓器件的电压极限。该技术采用共源共栅开关结构，兼顾高性能与高可靠性，能够简化高压功率系统设计、提升功率密度与转换效率。全新高压GaN技术的落地，不仅延续了PowiGaN系列在AI数据中心、新能源汽车领域的应用优势，更成功切入光伏、高压直流输电、高端工业变换等高压场景，为行业提供了可替代碳化硅方案的轻量化、高频化全新技术路径。
业界全新 2200V PowiGaN™ 技术实现了更高的功率密度与更高的效率，同时打造更安全、更简化的系统架构。
1700V PowiGaN IC 已应用于单级变换的数据中心辅助电源设计；同时，相较于传统的堆叠式氮化镓架构，1250V PowiGaN 为 800V直流数据中心的主功率路径提供了更为简化的解决方案。2200V PowiGaN 技术的推出意味着可以支持更高的母线电压，这将把氮化镓的应用范围拓宽至传统上由碳化硅主导的领域，同时为光伏、高压直流输电以及高端工业功率变换等应用提供更高频率（更小体积）的替代方案。
结论
2200V PowiGaN氮化镓技术的发布，是Power Integrations在宽禁带功率器件领域的重要技术突破，彻底打破了传统商用氮化镓器件的电压性能瓶颈。依托独特的共源共栅架构，该技术在提升系统运行效率、功率密度的同时，有效降低高压功率电路的设计复杂度，优化系统安全性与稳定性，解决了传统高压功率变换方案结构繁琐、体积偏大、效率偏低的行业痛点。
